臺(tái)積電羅鎮(zhèn)球:摩爾定律演進(jìn)至1納米沒有問題

羅鎮(zhèn)球表示,臺(tái)積電在7納米節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了3個(gè)細(xì)分節(jié)點(diǎn)劃分,包括7納米、7納米的強(qiáng)化版N7+和6納米。在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上,臺(tái)積電的芯片產(chǎn)量非常大,到目前為止已經(jīng)生產(chǎn)了超過10億顆芯片,應(yīng)用領(lǐng)域包括CPU、GPU、通訊芯片以及AI。

隨著臺(tái)積電不斷推進(jìn)7納米、5納米、3納米等先進(jìn)工藝,業(yè)界對(duì)其的關(guān)注度不斷提升。8月26日2020世界半導(dǎo)體大會(huì)期間,臺(tái)積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球介紹了該公司在先進(jìn)工藝以及3D封裝等技術(shù)上的規(guī)劃布局。

羅鎮(zhèn)球表示,臺(tái)積電在7納米節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了3個(gè)細(xì)分節(jié)點(diǎn)劃分,包括7納米、7納米的強(qiáng)化版N7+和6納米。在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上,臺(tái)積電的芯片產(chǎn)量非常大,到目前為止已經(jīng)生產(chǎn)了超過10億顆芯片,應(yīng)用領(lǐng)域包括CPU、GPU、通訊芯片以及AI。

目前,臺(tái)積電的5納米現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。臺(tái)積電仍然會(huì)采用小步快走的研發(fā)模式,在功耗上、性能上、面積上持續(xù)不斷做提升。5納米節(jié)點(diǎn)也將規(guī)劃3個(gè)細(xì)分節(jié)點(diǎn),包括5納米、5納米的強(qiáng)化版N5+和4納米。根據(jù)羅鎮(zhèn)球的介紹,從5納米生產(chǎn)的情況來(lái)看,它的良率推進(jìn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于三年前的7納米。4納米預(yù)計(jì)在2021年開始正式批量生產(chǎn)。

隨著工藝的持續(xù)推進(jìn),業(yè)界有人擔(dān)心摩爾定律會(huì)不會(huì)繼續(xù)往下走?羅鎮(zhèn)球表示,我們到目前為止看到3納米,看到2納米,看到1納米都沒有什么太大問題。臺(tái)積電在3納米開出性能上可以再提升10-15%,功耗可以再降低25-30%。預(yù)計(jì)明年可以看到3納米的產(chǎn)品在2022年進(jìn)入大批量生產(chǎn)。

在先進(jìn)封裝方面,羅鎮(zhèn)球認(rèn)為,先進(jìn)封裝是使摩爾定律持續(xù)演進(jìn)的主要助力。臺(tái)積電將3D封裝分成前段3D封裝和后段3D封裝。前段3D封裝采用SoIC技術(shù),包括CoW即Chip on Wafer封裝方式和WoW即Wafer on Wafer的封裝方式進(jìn)行;后段3D封裝采用InFO封裝和CoWoS封裝技術(shù),將不同功能的芯片整合到一個(gè)系統(tǒng)級(jí)的產(chǎn)品當(dāng)中。這是非常有效而且成本更低的方式。

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