目前的內(nèi)存主要有DRAM和flash 2種，其各有優(yōu)點(diǎn)也各自缺點(diǎn)。而一種新型存儲(chǔ)器——ULTRARAM™，兼具2種存儲(chǔ)的優(yōu)點(diǎn)，卻克服了它們的缺點(diǎn)。
研究于3月25日發(fā)表在《IEEE電子器件學(xué)報(bào)》上，標(biāo)題為“ULTRARAM:Toward the Development of a III-V Semiconductor,Nonvolatile,Random Access Memory”(超隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：朝著III-V半導(dǎo)體、非易失性、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方向發(fā)展)，通訊作者為蘭開(kāi)斯特大學(xué)物理系的D.Lane。
DRAM速度很快，因此用于工作內(nèi)存，但它是易失性的，只擁有“短期記憶”;Flash是非易失性的，允許長(zhǎng)期記錄數(shù)據(jù)，但寫(xiě)入輸出速度非常慢，而且會(huì)磨損。它非常適合用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，但不能用于頻繁寫(xiě)入讀取的日?；顒?dòng)。
科學(xué)家層設(shè)想過(guò)一種“通用存儲(chǔ)器”，技能可靠地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，又很容易寫(xiě)入。不過(guò)，過(guò)去一直認(rèn)為這種存儲(chǔ)器是異想天開(kāi)。
現(xiàn)在情況發(fā)生了變化。在研究中，科學(xué)家通過(guò)利用一種稱為共振隧道的量子力學(xué)效應(yīng)來(lái)解決通用存儲(chǔ)的悖論，這種效應(yīng)允許屏障通過(guò)施加小電壓從不透明變?yōu)橥该?。這種新型非易失性RAM被命名為ULTRARAM™，是“通用內(nèi)存”概念的成熟產(chǎn)品，擁有DRAM和flash的所有優(yōu)點(diǎn)，并且沒(méi)有任何缺點(diǎn)。
在研究中，研究人員首次將ULTRARAM™設(shè)備集成進(jìn)小型(4位)陣列，使其能夠通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證這種新穎的、申請(qǐng)了專利的內(nèi)存結(jié)構(gòu)。
