3D XPoint：美光退出/英特爾堅(jiān)守
近日，美光宣布將出售位于猶他州Lehi市的3D XPoint存儲(chǔ)芯片工廠，計(jì)劃在2021年底前完成出售，并退出3D XPoint技術(shù)業(yè)務(wù)。
美光決定退出3D Xpoint，與該技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程不佳有著重要關(guān)系。
目前只有英特爾的傲騰系列采用3D Xpoint技術(shù)，美光曾公布了幾款基于3D XPoint閃存芯片的存儲(chǔ)設(shè)備，例如X100，但一直沒(méi)有正式上市。
此外，3D Xpoint一直沒(méi)能成功建立起完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
英特爾將在新墨西哥州的晶圓廠中為自己的傲騰產(chǎn)品線生產(chǎn)3D XPoint芯片。
英特爾之所以還在執(zhí)著于3D XPoint存儲(chǔ)技術(shù)的開發(fā)，也有一部分原因是因?yàn)樵摷夹g(shù)十分契合數(shù)據(jù)中心的需求，而這也符合英特爾的發(fā)展戰(zhàn)略。
MRAM：已成技術(shù)熱點(diǎn)，Everspin率先破冰
MRAM除了其具備更好的儲(chǔ)存效能外，更重要的是，現(xiàn)今的處理器制程不停朝微縮化邁進(jìn)，以因應(yīng)高速運(yùn)算需求。
在MRAM的發(fā)展過(guò)程當(dāng)中，臺(tái)積電、三星等幾家晶圓代工廠商的加入也被行業(yè)視為是內(nèi)存市場(chǎng)的一次巨大轉(zhuǎn)變。
在MRAM研發(fā)領(lǐng)域，Everspin展示了Toggle MRAM的可擴(kuò)展性和可靠性，同時(shí)還在開發(fā)嵌入式MRAM，計(jì)劃用于未來(lái)幾代技術(shù)的新架構(gòu)、材料和設(shè)備。
不難發(fā)現(xiàn)，MRAM的魅力在于兼具DRAM大容量與SRAM速度快的優(yōu)點(diǎn)，且與Flash同屬于非易失性存儲(chǔ)，因此即使關(guān)機(jī)斷電后，數(shù)據(jù)仍舊存在，而它比Flash的使用壽命更長(zhǎng)、存取速度更快。
但根據(jù)去年IEDM會(huì)議中的一些文件顯示，雖然MRAM技術(shù)被業(yè)界所看好，但從商業(yè)化推進(jìn)上看，其在發(fā)展的道路仍充滿挑戰(zhàn)。
由此，在MRAM推進(jìn)商業(yè)化的過(guò)程當(dāng)中，市場(chǎng)也會(huì)對(duì)相關(guān)企業(yè)進(jìn)行一次大浪淘沙。
3D NAND：存儲(chǔ)巨頭推進(jìn)，層數(shù)越來(lái)越高
新興存儲(chǔ)技術(shù)為存儲(chǔ)市場(chǎng)注入了新力量，在新技術(shù)迭代的過(guò)程當(dāng)中，老牌存儲(chǔ)巨頭不僅要面臨著新技術(shù)的開發(fā)，也要直面現(xiàn)有主流存儲(chǔ)技術(shù)繼續(xù)向前發(fā)展的難題。
隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)，智能工廠，自動(dòng)駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序繼續(xù)受到關(guān)注，這些高要求的應(yīng)用程序?qū)?shù)據(jù)存儲(chǔ)的規(guī)定變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。
3D NAND在存儲(chǔ)巨頭們的不斷推進(jìn)之下，2020年紛紛將推進(jìn)至128層以后，SK海力士及美光等企業(yè)又跑步進(jìn)入到了176層。
過(guò)去十年來(lái)3D架構(gòu)的發(fā)展使得大容量閃存驅(qū)動(dòng)器在全球更容易實(shí)現(xiàn)。
盡管性能、壽命以及讓更高密度單元更加可靠的能力，受益于這項(xiàng)技術(shù)，但它同時(shí)伴隨著復(fù)雜且昂貴的制程。
與此同時(shí)，隨著堆疊層數(shù)的增加，存儲(chǔ)原廠將不得不面對(duì)越來(lái)越復(fù)雜、昂貴的工藝。因此，存儲(chǔ)巨頭也要面臨著存儲(chǔ)產(chǎn)品在工藝上挑戰(zhàn)。
EUV工藝：開啟新競(jìng)爭(zhēng)節(jié)點(diǎn)
在這個(gè)過(guò)程當(dāng)中，EUV開始被存儲(chǔ)廠商們引入到他們新產(chǎn)品的產(chǎn)線中，這也成為了存儲(chǔ)巨頭們?cè)陂_發(fā)新技術(shù)過(guò)程中的一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)點(diǎn)。
隨著三星DRAM導(dǎo)入EUV工藝，SK海力士?jī)?nèi)部也已經(jīng)成立了研究小組專門針對(duì)EUV光刻相關(guān)技術(shù)展開研究，并計(jì)劃將其應(yīng)用于最新的DRAM產(chǎn)線。
目前三星已在第3代10納米級(jí)DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)導(dǎo)入EUV技術(shù)，且還預(yù)計(jì)2021年發(fā)表第4代10納米級(jí)的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)增加EUV技術(shù)。
至于SK海力士則將在2021年量產(chǎn)第4代10納米級(jí)DRAM存儲(chǔ)器導(dǎo)入EUV技術(shù)，目前SK海力士也分批導(dǎo)入EUV設(shè)備，預(yù)計(jì)在京畿道利川市的新DRAM工廠建立EUV技術(shù)產(chǎn)線。
英特爾12代酷睿Alder Lake（ADL）混合架構(gòu)處理器會(huì)支持DDR5，但最早也要到2021年Q3。
今年存儲(chǔ)市場(chǎng)整體優(yōu)于預(yù)期
根據(jù)集邦咨詢的預(yù)測(cè)，2021Q2，服務(wù)器、PC、智能手機(jī)、圖形存儲(chǔ)器和消費(fèi)類存儲(chǔ)器等DRAM品類價(jià)格均將有所上漲，預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格整體同比增長(zhǎng)約13-18%，漲幅較2021Q1明顯擴(kuò)大。
在NAND市場(chǎng)，2021Q2，NAND價(jià)格將同比上漲約3-8%，較2021年第一季度明顯提升，主要原因是PC、智能手機(jī)支撐NAND需求；
本土存儲(chǔ)器廠商當(dāng)前大力投入DRAM、NAND的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)蓄勢(shì)待發(fā)。
去年長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
從生產(chǎn)規(guī)模上看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash產(chǎn)線，總投資規(guī)模達(dá)240億美元，到2023年總產(chǎn)能可達(dá)30萬(wàn)片/月。
結(jié)尾
在這個(gè)過(guò)程中，新興存儲(chǔ)技術(shù)又為存儲(chǔ)市場(chǎng)又迎來(lái)了新一輪的變革。新興存儲(chǔ)技術(shù)逐漸步入商業(yè)化階段時(shí)，必不可少需要與主流存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，存儲(chǔ)巨頭的選擇與發(fā)展需求的碰撞才剛剛開始。
