存儲(chǔ)市場(chǎng)頹勢(shì)或?qū)⒊掷m(xù)至明年,國際大廠“救市”舉措透露哪些信號(hào)?

存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷新一輪的低潮期。業(yè)界預(yù)測(cè)今年下半年存儲(chǔ)器價(jià)格將持續(xù)下跌,這一形勢(shì)有可能延續(xù)到2023年。三星電子、SK海力士等存儲(chǔ)大廠將面臨一段下行周期的挑戰(zhàn)。

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本文來自中國電子報(bào),作者/陳炳欣。

存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷新一輪的低潮期。業(yè)界預(yù)測(cè)今年下半年存儲(chǔ)器價(jià)格將持續(xù)下跌,這一形勢(shì)有可能延續(xù)到2023年。三星電子、SK海力士等存儲(chǔ)大廠將面臨一段下行周期的挑戰(zhàn)。

存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)入下行周期,或持續(xù)至2023年

自去年第三季度達(dá)到高峰之后,存儲(chǔ)器價(jià)格便開始一路下滑,至今仍未有緩解跡象。集邦咨詢預(yù)測(cè),2022年第三季度DRAM價(jià)格將下跌3%~8%,其中消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)的跌幅更加嚴(yán)重。全球的通脹形勢(shì)將持續(xù)沖擊消費(fèi)市場(chǎng),導(dǎo)致整體需求不振,連帶DRAM市場(chǎng)也陷入低迷。在PC用DRAM方面,DDR4與LPDDR4X在PC端應(yīng)用的比重將進(jìn)一步降低;商用消費(fèi)級(jí)SSD的平均搭載容量預(yù)估僅小幅上升11%,為近三年來的最低;服務(wù)器方面,由于此前市場(chǎng)容量已然偏高,后續(xù)的增長動(dòng)能將趨緩。

NAND閃存的情況相對(duì)較好,但也處于供過于求的狀態(tài)。目前,智能手機(jī)高端機(jī)型的儲(chǔ)存容量已經(jīng)推進(jìn)到512GB,為手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)帶來基本動(dòng)能。但是消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)SSD等的需求依然不振,庫存壓力仍然很高,因此預(yù)計(jì)第三季度NAND閃存價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至8%~13%,且跌勢(shì)有可能延續(xù)至第四季度。同時(shí),集邦咨詢預(yù)期明年上半年價(jià)格仍將處于下跌狀態(tài)。

存儲(chǔ)器的下跌行情從三星電子、SK海力士、美光等公司的財(cái)報(bào)中也可以看出,幾家存儲(chǔ)廠商對(duì)下半年市場(chǎng)的預(yù)測(cè)均較為悲觀。美光科技日前發(fā)布疲軟業(yè)績(jī)預(yù)告。由于宏觀經(jīng)濟(jì)因素和供應(yīng)鏈問題,客戶減少了未使用芯片的庫存,公司將在2022財(cái)年第四季度和2023財(cái)年第一季度面臨充滿挑戰(zhàn)的市場(chǎng)環(huán)境,預(yù)計(jì)第四季度營收約為68億至76億美元。美光科技還預(yù)計(jì),2023財(cái)年第一季度的出貨量(按比特計(jì)算)將環(huán)比下降。

SK海力士下調(diào)了下半年出貨量預(yù)期。SK海力士認(rèn)為,上半年包括個(gè)人電腦和智能手機(jī)在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品受通脹影響嚴(yán)重,下半年個(gè)人電腦和智能手機(jī)的出貨量將不如預(yù)期。

三星預(yù)計(jì)第三季度的DRAM出貨量(按比特計(jì)算)將與第二季度持平,NAND閃存出貨量增長約10%。三星將根據(jù)DRAM需求變動(dòng),靈活管理供應(yīng),避免過度擴(kuò)張銷售,重點(diǎn)關(guān)注DRAM業(yè)務(wù)的盈利能力。

危中帶機(jī),國際大廠遠(yuǎn)近各有布局

受市場(chǎng)需求不振影響,存儲(chǔ)器大廠紛紛縮減了短期內(nèi)的資本支出計(jì)劃。美光科技便計(jì)劃減少今年在新工廠和新設(shè)備上的資本支出,預(yù)計(jì)資本支出將較上年同期下降。SK海力士和西部數(shù)據(jù)也釋放消極信號(hào),由于面臨下行周期,客戶需求增長將放緩。但是存儲(chǔ)廠商仍然看好產(chǎn)業(yè)的長期發(fā)展前景。美光科技雖然減少短期資本支出,卻于日前宣布將在10年內(nèi),分階段投資400億美元建設(shè)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片制造工廠。可見,存儲(chǔ)大廠對(duì)長期布局仍持積極態(tài)度。

此外,在技術(shù)研發(fā)上,幾大存儲(chǔ)廠商也是互不相讓。三星電子近日表示,將在年內(nèi)發(fā)布236層NAND閃存產(chǎn)品。此前,SK海力士也宣布完成238層產(chǎn)品的開發(fā),美光科技也宣布開發(fā)出232層NAND閃存產(chǎn)品。3D NAND可以在一塊平面上進(jìn)行立體堆疊,為閃存提供了更大的存儲(chǔ)空間,層數(shù)越高,容量也就越大,向更高層數(shù)擴(kuò)增,成為3D NAND技術(shù)發(fā)展的大勢(shì)所趨。

升級(jí)更快的接口速度也是存儲(chǔ)廠商推進(jìn)產(chǎn)品升級(jí)換代,應(yīng)對(duì)下行周期市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的重要手段。日前,三星電子降低4Gb DDR4芯片的價(jià)格,推動(dòng)行業(yè)從DDR3向DDR4過渡。目前許多消費(fèi)電子產(chǎn)品中仍然較廣泛地采用DDR3。三星電子此舉將加快DDR3的淘汰進(jìn)程,加快產(chǎn)品升級(jí)。業(yè)界預(yù)計(jì)三星電子還有可能提高新一代閃存V8-NAND的接口速度,以適應(yīng)UFS 4.0閃存標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布。

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