薩塞克斯大學的物理學家已經開發(fā)出一種極薄的大面積太赫茲半導體表面源，它只由幾個原子層組成，可以與現(xiàn)有的電子平臺兼容。
研究于去年12月21日發(fā)表在《物理評論快報》上，標題為“All-Optical Two-Color Terahertz Emission from Quasi-2D Nonlinear Surfaces”(準二維非線性表面的全光雙色太赫茲輻射)，通訊作者為蘇塞克斯大學物理與天文學系應急光子學實驗室的J.S.Totero Gongora。
太赫茲波在電磁光譜中介于微波和紅外線之間，是研究和工業(yè)中備受追捧的一種輻射形式。它們有一種天然的能力，可以通過像X射線一樣容易地穿透紙張、衣服和塑料等普通材料來揭示物體的物質組成，但不會造成傷害。
太赫茲輻射源以每秒萬億次的速度發(fā)出短暫的光脈沖，這種頻率太高，標準電子設備無法處理對光學設備來說則過慢了點。
然而，太赫茲輻射對于300GHz以上的超快通信設備具有重大意義，比如6G手機技術等，因此是個必須攻克的難關。
在最新研究中，研究人員實現(xiàn)了迄今為止最亮和最薄的表面太赫茲半導體源，這種半導體源的發(fā)射區(qū)比以前薄了10倍，而且性能相當，甚至更好。如此薄層，完全可以放置在常見物品上，比如茶壺之類的日常用品，以及藝術品，打開物聯(lián)網、防偽技術的新世界大門。
