本文來自微信公眾號(hào)“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫”，作者/豐寧。
存儲(chǔ)芯片具有固有的周期性變化特征，作為主要產(chǎn)品的DRAM和NAND Flash的市場(chǎng)規(guī)模也存在著明顯的周期性波動(dòng)。
01
存儲(chǔ)芯片大跌，是市場(chǎng)規(guī)律
從DRAM的價(jià)格周期看，自2012年至今DRAM已經(jīng)經(jīng)歷了三輪周期。
第一輪周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2為周期上行，主要驅(qū)動(dòng)力為智能手機(jī)爆發(fā)，對(duì)DRAM的需求增長(zhǎng)；2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因?yàn)楦鲝S商擴(kuò)產(chǎn)落地導(dǎo)致供大于求。
第二輪周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驅(qū)動(dòng)力為主要的存儲(chǔ)芯片廠商轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至3D NAND Flash，DRAM無擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃；2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中美貿(mào)易摩擦導(dǎo)致全球下游需求萎靡，服務(wù)器、PC、筆記本電腦等需求不佳，DRAM供過于求。
第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2為周期上行，主要驅(qū)動(dòng)力為疫情下，線上經(jīng)濟(jì)、居家辦公等需求拉動(dòng)服務(wù)器、TV、PC出貨激增，5G手機(jī)升級(jí)驅(qū)動(dòng)單機(jī)容量升級(jí)，帶動(dòng)DRAM價(jià)格回升。2021年Q3至今為周期下行，原因是隨著智能手機(jī)等消費(fèi)電子需求步入低迷，存儲(chǔ)廠商持續(xù)去庫(kù)存。
NAND Flash與DRAM的價(jià)格周期波動(dòng)情況相似，自2012年至今也經(jīng)歷了三輪周期。
第一輪周期：2012年Q3至2015年Q4。其中2012年Q3至2013年Q1為周期上行，主要驅(qū)動(dòng)力為智能手機(jī)的需求爆發(fā)。2013年Q2至2015年Q4周期下行，主要原因是PC銷售量衰減，導(dǎo)致需求持續(xù)疲軟，同時(shí)各大存儲(chǔ)廠新增產(chǎn)能開出，存儲(chǔ)芯片整體供大于求。
第二輪周期：2016年Q1至2019年Q4。其中2016年Q1至2017年Q2周期上行，主要驅(qū)動(dòng)力為非蘋果智能手機(jī)品牌的需求提振但大部分廠商良率爬升普遍較緩，供給下滑嚴(yán)重。2017年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是廠商3D NAND良率提升、大幅擴(kuò)產(chǎn)，但其他部分如服務(wù)器、PC及平板需求疲軟。
第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2，NAND Flash價(jià)格處于震蕩狀態(tài)。主要矛盾是中美貿(mào)易摩擦對(duì)需求形成一定壓制與居家辦公對(duì)消費(fèi)電子需求的強(qiáng)烈提振。
2021年Q2至今，智能手機(jī)等消費(fèi)電子需求步入低迷，存儲(chǔ)廠商持續(xù)去庫(kù)存。
如此看來，DRAM和NAND市場(chǎng)都有天然的周期性，每輪周期時(shí)間大約3至4年，這雖然會(huì)導(dǎo)致劇烈價(jià)格和收益變化，但是屬于市場(chǎng)波動(dòng)的正常現(xiàn)象。
02
看好下半年？
從2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash兩大內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)下跌長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月。各存儲(chǔ)芯片廠商正在集中減產(chǎn)、應(yīng)對(duì)庫(kù)存問題、節(jié)約資本開支，并推遲先進(jìn)技術(shù)的進(jìn)展，以應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器需求的疲軟。
為了應(yīng)對(duì)3DNAND和DRAM內(nèi)存需求放緩的問題，美光宣布將DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%，除此之外，美光還宣布將在2023年削減30%的資本開支。
SK海力士也宣布削減2023年的資本支出50%以上，并對(duì)收益較低的存儲(chǔ)產(chǎn)品進(jìn)行減產(chǎn)。隨后在今年年初，有臺(tái)媒報(bào)道SK海力士已調(diào)降供國(guó)內(nèi)設(shè)施使用的晶圓產(chǎn)量10%。
鎧俠也做出了減產(chǎn)動(dòng)作，調(diào)整日本四日市和北上NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，晶圓生產(chǎn)量將減少約30%。
西部數(shù)據(jù)宣布NAND閃存產(chǎn)量減少30%。
就在近日，三星一改之前堅(jiān)決不減產(chǎn)的態(tài)度，宣布對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行減產(chǎn)。三星電子表示，將把內(nèi)存芯片產(chǎn)量削減至“合理水平”，主要以PC內(nèi)存“DDR4”等通用產(chǎn)品為中心推進(jìn)。
隨著各家存儲(chǔ)器大廠紛紛大幅減產(chǎn)，存儲(chǔ)芯片供給端過?，F(xiàn)象將進(jìn)一步改善。近期，從海外三大存儲(chǔ)巨頭的預(yù)測(cè)來看，市場(chǎng)情況正在出現(xiàn)微妙變化。
據(jù)美光透露，存儲(chǔ)芯片庫(kù)存已至高點(diǎn)，后續(xù)有望迎來行業(yè)拐點(diǎn)。雖然目前存儲(chǔ)價(jià)格仍在下行，但廠商庫(kù)存壓力已達(dá)到峰值，后續(xù)有望逐步下降至安全水位。
SK海力士日前在股東大會(huì)上也透露，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片需求將在今年下半年復(fù)蘇，但不確定性依舊存在，公司今年資本開支將減半，不會(huì)進(jìn)一步減產(chǎn)。
鎧俠也認(rèn)為隨著今年中國(guó)經(jīng)濟(jì)全面重啟，客戶庫(kù)存水平逐季降低，市場(chǎng)需求將于今年下半年復(fù)蘇。
此外，在近日召開的CFMS 2023峰會(huì)上，中國(guó)存儲(chǔ)龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首席運(yùn)營(yíng)官程衛(wèi)華在演講中也提到，得益于智能手機(jī)、服務(wù)器和個(gè)人電腦制造商的需求訂單，全球NAND閃存市場(chǎng)的供需將在今年下半年達(dá)到平衡。
值得注意的是，三星電子近日通知分銷商，將不再以低于當(dāng)前價(jià)格出售DRAM芯片。DRAM現(xiàn)貨價(jià)格日前停止下跌，明顯早于預(yù)期。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察DRAMeXchange數(shù)據(jù)，最常見的DRAM產(chǎn)品之一DDR4 16Gb 2600的現(xiàn)貨價(jià)格在4月11日上漲0.78%，成為自2022年3月7日以來的首次價(jià)格上漲。
03
HBM報(bào)價(jià)大漲、NAND跌幅放緩
存儲(chǔ)市場(chǎng)的崩潰主要來自兩方面的原因，一方面是供過于求，目前全球存儲(chǔ)廠商都在奮力減產(chǎn)并且已有所成效。另一方面則是源于市場(chǎng)需求低迷，伴隨著全球經(jīng)濟(jì)回暖以及AIGC的拉動(dòng)，或許有望一掃陰霾迅速回暖。
近日，AIGC大熱，對(duì)于AI服務(wù)器需求大增，而AI服務(wù)器所需DRAM容量為常規(guī)服務(wù)器的8倍，NAND Flash是常規(guī)服務(wù)器的3倍，直接拉動(dòng)DRAM和NAND需求大幅增長(zhǎng)。2023年服務(wù)器使用的DRAM將超過智能手機(jī)，成為DRAM的第一大應(yīng)用場(chǎng)景。
HBM突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案。據(jù)悉，2023年開年后三星、SK海力士?jī)杉掖鎯?chǔ)大廠HBM訂單快速增加，價(jià)格也水漲船高，近期HBM3規(guī)格DRAM價(jià)格已上漲5倍。
目前，HBM主要被安裝在GPU、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）、AI加速器、超級(jí)計(jì)算機(jī)及高效能服務(wù)器上，約占整個(gè)DRAM市場(chǎng)的1.5%，整體市占率水平尚低。但隨著AI技術(shù)不斷擴(kuò)大對(duì)高算力的需求，HBM銷售量有望迎來快速增長(zhǎng)。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2023—2025年HBM市場(chǎng)CAGR有望成長(zhǎng)至40%-45%以上，至2025年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)25億美元，市場(chǎng)需求快速提升。
此外，AI大模型龐大的數(shù)據(jù)集需要更大容量的NANDFlash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。據(jù)悉，GPT-3的參數(shù)量已達(dá)1750億個(gè)，GPT-4則需要更多。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度，NAND閃存合約價(jià)格大跌20%～25%，今年第一季度NAND閃存均價(jià)跌幅有所收斂，至10%～15%，第二季度將繼續(xù)下跌，但跌幅將放緩至5%～10%。
04
相關(guān)廠商迎來急單潮
隨著存儲(chǔ)芯片下游持續(xù)消化庫(kù)存，大廠減產(chǎn)幾乎已“減無可減”，加上三星也傳出有意調(diào)控產(chǎn)能，恐導(dǎo)致存儲(chǔ)價(jià)格隨時(shí)反彈，因而出現(xiàn)逢低價(jià)大量補(bǔ)貨的買氣，相關(guān)廠商已迎來急單潮。
力成表示，客戶開始加大下單力道，今年?duì)顩r將優(yōu)于預(yù)期。群聯(lián)也透露，客戶提前回補(bǔ)庫(kù)存，訂單量明顯回升約兩成。力成是全球存儲(chǔ)封測(cè)龍頭，群聯(lián)則是NAND Flash控制器芯片大廠，近期兩家大廠接單同步報(bào)喜，率先感受到市況轉(zhuǎn)強(qiáng)，透露整體存儲(chǔ)市場(chǎng)正快速?gòu)?fù)蘇當(dāng)中。
力成曾在3月中旬的法說會(huì)上表示今年一季度運(yùn)營(yíng)比過往淡季還淡，第二季起才有望緩步回升，但時(shí)隔僅半個(gè)月，情況似乎就出現(xiàn)了大轉(zhuǎn)變。力成CEO謝永達(dá)直言，隨著業(yè)界庫(kù)存逐步見底，近期客戶急單涌入，公司對(duì)今年的展望與看法將優(yōu)于原先預(yù)估。謝永達(dá)說，存儲(chǔ)市場(chǎng)相比邏輯芯片市場(chǎng)更晚進(jìn)入修正，也較晚回溫，并且存儲(chǔ)業(yè)者多數(shù)都擁有晶圓廠，減產(chǎn)力度不敢太重，隨著客戶庫(kù)存去化差不多到一個(gè)段落，產(chǎn)業(yè)自然開始恢復(fù)拉貨力道。
群聯(lián)CEO潘健成指出，目前NAND Flash報(bào)價(jià)相當(dāng)便宜，成功刺激終端需求，已觀察到市場(chǎng)需求正呈現(xiàn)倍數(shù)成長(zhǎng)，研判會(huì)有其他存儲(chǔ)原廠再宣布減產(chǎn)，代表后續(xù)有機(jī)會(huì)迎來產(chǎn)業(yè)景氣回春。群聯(lián)已感受到客戶群提前回補(bǔ)庫(kù)存的急單需求，近期訂單量顯著回升約兩成。
如此看來，相信用不了多久存儲(chǔ)業(yè)便會(huì)寒風(fēng)不再，暖風(fēng)徐來。
05
即將到來的是好光景
江波龍高級(jí)副總裁、COO王景陽(yáng)表示：“價(jià)錢下跌對(duì)我們這些做存儲(chǔ)的廠商來說，是很痛苦的事情，我們可能會(huì)虧錢，可能會(huì)有庫(kù)存壓力，但實(shí)際上，這對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)繁榮是大的利好，這個(gè)過程可能痛苦一點(diǎn)，但是應(yīng)該很快過去了。”
的確，等這波寒潮過去，到時(shí)候迎來的就是極好的光景。因?yàn)榇笕萘看鎯?chǔ)器的終端滲透率正不斷提升。
在手機(jī)市場(chǎng)上，中低端手機(jī)的存儲(chǔ)容量在向128/256GB發(fā)展，高端手機(jī)的存儲(chǔ)容量邁向了512GB，甚至1TB，手機(jī)內(nèi)存也邁向10+GB，尤其在中高端的安卓手機(jī)中越來越多地搭載12GB/16GB的LPDDR。
在PC市場(chǎng)上，今年會(huì)全面進(jìn)入512G和1T時(shí)代，并且會(huì)以1TB容量為主。不論是新一代大容量的移動(dòng)端產(chǎn)品和消費(fèi)級(jí)SSD的迭代升級(jí)，還是層出不窮的創(chuàng)新應(yīng)用場(chǎng)景，未來消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)于存儲(chǔ)行業(yè)來說依舊是重要的增長(zhǎng)市場(chǎng)之一。
除此之外，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，IT架構(gòu)創(chuàng)新與eSSD豐富場(chǎng)景的應(yīng)用，同樣推動(dòng)著服務(wù)器的存儲(chǔ)容量快速向上發(fā)展。
因此整體來看，2022年的存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模有所下滑，但存儲(chǔ)容量規(guī)模仍略有增長(zhǎng)。其中，全球NAND Flash容量增長(zhǎng)了6%，達(dá)到了6100億GB，全球DRAM容量增長(zhǎng)2%，達(dá)1900億GB。隨著線上業(yè)務(wù)不斷發(fā)展、海量數(shù)據(jù)持續(xù)增長(zhǎng)，未來存儲(chǔ)市場(chǎng)也將迎來新一輪的需求變化。
