深度丨國內[狂飆]的存儲芯片賽道

方文三
隨著大數(shù)據(jù)時代的到來,元宇宙、自動駕駛、人工智能等新興技術不斷涌現(xiàn),這些都需要大量的數(shù)據(jù)存儲。

本文來自微信公眾號“AI芯天下”,作者/方文三。

作為強周期行業(yè),存儲芯片行業(yè)的低谷期不會一直持續(xù)下去。

隨著大數(shù)據(jù)時代的到來,元宇宙、自動駕駛、人工智能等新興技術不斷涌現(xiàn),這些都需要大量的數(shù)據(jù)存儲。

因此,存儲芯片行業(yè)在國內仍有較大的發(fā)展機會和潛力。

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美光留出市場,國內廠商填空

今年5月,國家互聯(lián)網(wǎng)信息辦公室官微[網(wǎng)信中國]發(fā)布消息,美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡安全審查。

按照《網(wǎng)絡安全法》等法律法規(guī),我國關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產(chǎn)品。

美光在全球存儲器領域以超過5%的產(chǎn)品市場份額位居全球前五,并具備從半導體晶圓制造、芯片設計到封裝測試及最終存儲模組集成的全面生產(chǎn)能力。

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根據(jù)美光科技2022年財報,如果此時退出市場,將至少留出相當于33億美元的市場空間,等待其他廠商進行填補。

此次美光的突發(fā)情況為國內廠商提供了一個難得的機會。

將訂單轉向國產(chǎn)廠商,構建多元化供應鏈,是行業(yè)內近年來通行慣例,且國內頭部存儲芯片廠商的工藝已經(jīng)趕上海外品牌,受益是必然的。

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高算力新興需求增量,推動存儲市場爆發(fā)

當前,隨著5G、AI、車聯(lián)網(wǎng)以及云計算等一系列新一代信息技術的快速更新?lián)Q代,這推動了數(shù)據(jù)存儲市場的爆發(fā)式增長。

盡管半導體存儲器行業(yè)整體仍然處于下行周期,但高算力等部分需求的上漲,正刺激著存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,吸引各大廠商進行戰(zhàn)略布局。

預計2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達1658億美元,中國存儲芯片市場規(guī)模將逼近6500億元。

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AI服務器的存儲需求量是傳統(tǒng)服務器數(shù)倍。在AI大浪潮時代下,諸如百度[文心一言]、阿里[通義千問]和華為[盤古大模型]等大模型平臺紛紛推出,將帶動AI服務器需求增長。

同時,根據(jù)測算,AI服務器的DRAM需求量是常規(guī)服務器的8倍,NAND需求量是常規(guī)服務器3倍。

消費電子、通訊、工業(yè)、汽車和數(shù)據(jù)處理,新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、云計算、大數(shù)據(jù)、和安防電子等新興領域的技術發(fā)展將持續(xù)引領市場增長。

從需求端來看,服務器新世代CPU的推出和AI需求增加,將提升DDR5、HBM等高性能產(chǎn)品及高密度模組的需求。

AI服務器所需DRAM和NAND分別是常規(guī)服務器的8倍和3倍,AI技術革命驅動全球算力競賽,存儲芯片有望加速企穩(wěn)。

長期來看,物聯(lián)網(wǎng)、汽車、電信和基礎設施將持續(xù)推動存儲芯片市場規(guī)模的邊際成長。

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近年來存儲項目落地,國內融資與投資頻發(fā)

盡管半導體存儲器行業(yè)整體仍處下行周期,但高算力等部分需求的上漲,正刺激著存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展,并吸引各大廠商下場布局。

今年以來,國內存儲企業(yè)的融資事件頻繁發(fā)生,多個存儲項目正陸續(xù)啟動和開展。

近年來,我國存儲芯片投融資較為活躍,2022年存儲芯片投融資事件16起,投融資金額58.23億元。

國產(chǎn)存儲芯片的突破預計將在未來2-3年內實現(xiàn),預計未來很快將在技術和規(guī)模上實現(xiàn)超越。

預計2023年存儲芯片投融資事件18起,投融資金額75億元。

其中:芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目,金額約55億元;深圳佰維存儲第二總部及測試設備研發(fā)生產(chǎn)基地項目,金額為30.2億元;致真存儲芯片項目,金額為28.5億元。

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中國存儲芯片制造商長江存儲已成為全球第一個量產(chǎn)200層以上3D垂直存儲芯片的公司,并推出了采用其NAND閃存的多款SSD產(chǎn)品,這直接導致了SSD市場的降價。

目前,長鑫存儲已經(jīng)成功試產(chǎn)DDR5內存,并預計到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。

DRAM方面,長鑫存儲作為該領域中的國產(chǎn)領軍企業(yè),目前已建成12英寸晶圓廠并投產(chǎn),并實現(xiàn)多個基于先進制程的芯片量產(chǎn)。

NAND Flash方面,長江存儲2020年就已研發(fā)出128層QLC 3D NAND閃存,性能水平已能對標三星、海力士、美光等國際頭部廠商。

目前,DRAM和NAND主要由海外廠商掌控,中國廠商市占率較低,國產(chǎn)替代空間廣闊。

在NOR方面,中國本土企業(yè)已占據(jù)一定的市場份額。代表廠商有華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份等。

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結尾:

美光受限,有利于國產(chǎn)存儲器廠商擴大市場份額,這點毫無疑問。

同時產(chǎn)能不足及缺乏市場驗證是當前國產(chǎn)品牌面臨的主要難題。

因技術、設備管制,國產(chǎn)存儲芯片等想要在短時間內擴大產(chǎn)能還是比較困難。

加上技術與三星、SK海力士等頭部企業(yè)相比還仍存在一定差距,因此想要[吃掉]美光留下的份額不容易。

部分資料參考:全球半導體觀察:《存儲芯片賽道:國內廠商仍在狂奔,項目+融資并行》,飆叔科技洞察:《國產(chǎn)存儲芯片快速崛起,韓國芯片大廠慘遭吊打》,前瞻IPO:《中國存儲芯片行業(yè)投融資及兼并重組分析》,平安證券:《半導體存儲行業(yè)專題:短期有望見底,中長期看好國產(chǎn)化》,芯師爺:《國產(chǎn)存儲器,低谷中覓新機》

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