存儲芯片的寒風(fēng),要停了

5G智能手機的強勁需求也為智能手機內(nèi)存市場的增長創(chuàng)造了上升趨勢。目前應(yīng)用于智能手機存儲的RAM和ROM最新產(chǎn)品規(guī)范已經(jīng)發(fā)展到了LPDDR5/5x和UFS4.0,無疑將成為各大手機廠商高端旗艦應(yīng)用首選,但是這兩種類型產(chǎn)品目前供應(yīng)來源和產(chǎn)能相對有限。

本文來自微信公眾號“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫”,作者/豐寧。

2023行至過半,存儲芯片大跌的寒風(fēng)依舊凜冽,DRAM加速降價、NAND閃存價格多輪下探、SSD也同步滑落,至于這場大風(fēng)究竟要刮到何時未曾可知。

不過,近日已有多重信息表明整個存儲行業(yè)的周期底部越來越明顯,存儲價格持續(xù)下行的市況即將步入尾聲。

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觸底反彈還是持續(xù)低迷

在過去的幾個月里,內(nèi)存和SSD硬盤等多類產(chǎn)品的價格持續(xù)下跌,如今已跌至歷史低位,32GB內(nèi)存和2TB大容量存儲的價格也來到新的甜蜜點。以下是各類產(chǎn)品近一年降價情況。

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然而,進(jìn)入2023年下半年后,市場走勢正在發(fā)生變化,多家研究機構(gòu)及存儲原廠紛紛預(yù)測這些產(chǎn)品的價格已經(jīng)觸底,并有可能在7月份出現(xiàn)上漲。

美國市場調(diào)查機構(gòu)發(fā)布的最新報告稱,美光、西部數(shù)據(jù)等存儲芯片供貨商認(rèn)為產(chǎn)品價格已跌到底,開始取消以折扣價提前進(jìn)行批量交易的模式,甚至開始抬高價格。預(yù)計Q3起存儲芯片價格下跌幅度將會收窄,部分產(chǎn)品合約價格很可能從Q4起出現(xiàn)上升拐點,不同產(chǎn)品線情況有別,明年有望全面復(fù)蘇。

02

DRAM Q3觸底,NAND再等一季

那么DRAM和NAND的情況如何?分別在什么時候迎來行業(yè)回溫?

首先看DRAM。據(jù)臺媒報道,面對行業(yè)傳統(tǒng)旺季,三星、SK海力士及美光三家存儲巨頭都計劃調(diào)漲DRAM的下一季度合約價,目標(biāo)漲幅7%—8%。此外,美國調(diào)研公司發(fā)布的報告顯示,盡管目前內(nèi)存芯片價格相對穩(wěn)定,但從2023年下半年開始,DDR5內(nèi)存可能會面臨漲價。據(jù)稱,PC端的DDR5內(nèi)存價格或?qū)⒆罡呱蠞q5%,而服務(wù)器的DDR5內(nèi)存價格可能最高上漲10%。已有部分廠商在2023年7月份開始上調(diào)內(nèi)存價格,這可能對市場產(chǎn)生較大影響。

其次看NAND。近日NAND閃存芯片市場也傳出由于庫存水平仍然很高,價格已跌破制造商底線,影響盈利能力的消息,上游NAND原廠計劃從7月開始調(diào)漲價格。

值得注意的是7月起開始調(diào)漲價格并不意味著市場真正的回溫。中國臺灣經(jīng)濟(jì)日報認(rèn)為,存儲器經(jīng)過一年的庫存調(diào)整,加上三星等減產(chǎn)效應(yīng)逐漸顯現(xiàn),法人預(yù)期DRAM有望在第三季度觸底,NAND Flash則延后一季在第四季度觸底。

據(jù)悉,7月三星將DRAM月產(chǎn)量削減至62萬片晶圓,同比減少12%以上,創(chuàng)下了公司自2021年第三季度以來DRAM產(chǎn)量的新低。目前,三星的DRAM工廠中,除了采用最先進(jìn)工藝制程的平澤園區(qū)之外,基本所有產(chǎn)線的DRAM產(chǎn)量都在下降。三星內(nèi)部計劃將減產(chǎn)持續(xù)至明年,在半導(dǎo)體市場重回供需平衡之前,公司將避免擴產(chǎn)存儲芯片。Omdia預(yù)計,明年下半年三星的DRAM月產(chǎn)量將保持在60萬片,較目前水平進(jìn)一步減少。與此同時,三星也開始積極與主要客戶重新談判DRAM價格

美光的庫存水位也已經(jīng)得到有效控制。美光季度末庫存維持在82億美元小幅波動,最新目標(biāo)庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為4個月(當(dāng)前約5.6個月),減產(chǎn)幅度從25%提高到30%。下半年上游原廠有望積極地持續(xù)減產(chǎn),強化庫存管理和控制供應(yīng)增長。

03

三大先鋒率先調(diào)漲

不同于去年的普遍衰退,其實自步入今年以來,就已經(jīng)有零星產(chǎn)品開始漲價,分別是:DDR5和HBM,此外手機用大容量內(nèi)存的行情報價也將呈上揚態(tài)勢??匆幌逻@三大板塊當(dāng)下的需求及發(fā)展?fàn)顩r。

首先看DDR5。驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應(yīng)該是來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,比如云服務(wù)器、邊緣計算等等,由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長,因此服務(wù)器需要更大的內(nèi)存帶寬。在服務(wù)器市場,經(jīng)過數(shù)月的庫存消耗,國內(nèi)服務(wù)器主要廠商的庫存水平也已經(jīng)回落至健康水位,近期市場詢單也確有增多,部分廠商已開始釋出訂單。三星電子、SK海力士和美光三家公司正在推動DDR5內(nèi)存的普及,以期抵制當(dāng)前半導(dǎo)體市場下滑的趨勢。

7月20日,據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,DDR5內(nèi)存價格出現(xiàn)小幅上漲,這表明該市場即將從最低點進(jìn)入恢復(fù)階段。

其次,被AI服務(wù)器引爆的HBM新型存儲需求也在今年開年以來迅速增加。根據(jù)Trendforce數(shù)據(jù),HBM市場被海力士(占53%)、三星(占38%)和美光(占9%)三大內(nèi)存原廠占據(jù)。受益于AI的提振,2023年開年后三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單就快速增加,價格也水漲船高,據(jù)悉近期HBM3規(guī)格DRAM價格上漲5倍。目前SK海力士已著手?jǐn)U建HBM產(chǎn)線,目標(biāo)將HBM產(chǎn)能翻倍。擴產(chǎn)焦點在于HBM3,SK海力士正在準(zhǔn)備投資后段工藝設(shè)備。三星也計劃投資1萬億韓元(約合7.6億美元)擴產(chǎn)HBM,目標(biāo)明年底之前將HBM產(chǎn)能提高一倍,公司已下達(dá)主要設(shè)備訂單。不過調(diào)整產(chǎn)能需要時間,很難迅速增加HBM產(chǎn)量,預(yù)計未來兩年HBM供應(yīng)仍將緊張。

最后,5G智能手機的強勁需求也為智能手機內(nèi)存市場的增長創(chuàng)造了上升趨勢。目前應(yīng)用于智能手機存儲的RAM和ROM最新產(chǎn)品規(guī)范已經(jīng)發(fā)展到了LPDDR5/5x和UFS4.0,無疑將成為各大手機廠商高端旗艦應(yīng)用首選,但是這兩種類型產(chǎn)品目前供應(yīng)來源和產(chǎn)能相對有限。根據(jù)CFM數(shù)據(jù)顯示,由于各廠商之前價格基準(zhǔn)不同,預(yù)計Q3 LPDDR5/5x普遍漲幅將在10%—20%,漲至0.2-0.22美元/Gb以上的意愿較強,部分廠商在供應(yīng)和報價方面仍存在不確定性;UFS 4.0方面,由于上半年部分搭載UFS4.0產(chǎn)品機型銷量反饋較好,下半年搭載UFS4.0機型預(yù)計比之前預(yù)期更多,因此行情報價也將呈上揚態(tài)勢。

04

國產(chǎn)存儲公司突然走紅

今年以來存儲市場價格雖然在一直下探,但國產(chǎn)存儲廠商卻一直表現(xiàn)不凡。

國產(chǎn)A股存儲芯片核心公司約有10余家。根據(jù)私募排排網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,截至7月13日收盤,有7只存儲芯片概念股年內(nèi)漲幅已翻倍。當(dāng)日存儲板塊指數(shù)更是大漲6%以上,其中具有優(yōu)秀表現(xiàn)的公司包括:兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯半導(dǎo)體、華海誠科等。

那么存儲芯片為何突然走強?又有哪些公司有望在這次走紅中受益?

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HBM盛行,國產(chǎn)公司涌現(xiàn)

今年以來HBM板塊持續(xù)爆發(fā),然而這一賽道主要被海外巨頭所壟斷。2022年HBM市場份額中,SK海力士獨占50%,三星約40%,美光僅10%,且SK海力士是目前唯一量產(chǎn)HBM3的公司。不過在HBM盛行的當(dāng)下,一些優(yōu)秀的國產(chǎn)公司也正在涌現(xiàn)。比如:HBM供應(yīng)商華海誠科、雅克科技、太極實業(yè);HBM代理商香農(nóng)芯創(chuàng)、商洛電子;HBM環(huán)氧塑封料供應(yīng)商華海誠科、飛凱材料、宏昌電子、壹石通、聯(lián)瑞新材;還有進(jìn)擊HBM先進(jìn)封裝的華海誠科、中富電路;HBM基板供應(yīng)商中富電路、科翔股份、滿坤科技等。

其中華海誠科可以應(yīng)用于HBM的材料已通過部分客戶認(rèn)證,顆粒狀環(huán)氧塑封料是HBM需要的核心封測材料,目前國內(nèi)唯一,全球僅三家;雅克科技是SK海力士的核心供應(yīng)商,HBM核心標(biāo)的,也是全球領(lǐng)先的前驅(qū)體供應(yīng)商之一。

利基市場收益

眾所周知,美光在中國的存儲市場“占地不菲”,倘若美光在中國的業(yè)務(wù)受限,首先受益的自然是利基存儲市場。利基存儲主要包含4Gb DDR4及以下的DRAM,2D NAND及NOR Flash、EEPROM等品類,毛利較低,市場規(guī)模遠(yuǎn)小于主流儲存產(chǎn)品,但是相應(yīng)技術(shù)壁壘也相對較低,國外巨頭正在逐步退出這部分競爭,國內(nèi)存儲芯片設(shè)計公司正在逐步崛起。

在利基存儲領(lǐng)域,兆易創(chuàng)新是成長最快、實力最強的公司。兆易創(chuàng)新的存儲芯片營收中70%來自NOR閃存、利基型DRAM占比18%,其余小部分為NAND閃存,公司目前產(chǎn)品布局主要面向IPC、機頂盒、掃地機器人等物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域利基市場需求。

在利基型DRAM車用存儲領(lǐng)域,北京君正通過并購獲得了后發(fā)趕超的優(yōu)勢。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示,全球車規(guī)DRAM市場份額排名前三的分別為美光(45%)、北京矽成(15%)和三星(11%),若美光業(yè)務(wù)受限,車載存儲龍頭北京君正有望優(yōu)先受益;SLC NAND領(lǐng)域,國內(nèi)龍頭東芯股份有望受益。

下游的存儲模組行業(yè),江波龍和佰維存儲在全球市場也有較強競爭力,其中江波龍的eMMC及UFS在全球市場占有率為6.5%,全球第六,國內(nèi)第一;佰維存儲全球市占率2.4%,全球第八,國內(nèi)第二。這兩家公司的主要供應(yīng)商,都包括美光。

先進(jìn)封測當(dāng)?shù)?/strong>

目前,包括三星、美光、SK海力士在內(nèi)的國際領(lǐng)先存儲器大廠都是以IDM的模式運營,不過,長江存儲和長鑫存儲尚處于起步階段,并沒有完善的內(nèi)部封裝能力,選擇將封裝外包給OSAT廠商,這就給了國內(nèi)OSAT廠商一個商機。

在存儲器封裝市場,也有以通富微電、深科技(沛頓科技)、太極實業(yè)、華天科技、長電科技等為代表的眾多國內(nèi)封測廠商紛紛押下重注。通富微電將存儲器封測作為其未來發(fā)展的重點領(lǐng)域,并與長江存儲、長鑫存儲結(jié)為戰(zhàn)略合作伙伴,已大規(guī)模生產(chǎn)存儲產(chǎn)品。深科技在年報中指出,隨著國產(chǎn)存儲廠商相繼達(dá)成有效產(chǎn)能,半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)(包括晶圓代工和封測)的景氣度持續(xù)走高。長電科技也在年報中表示,在半導(dǎo)體存儲市場領(lǐng)域,長電科技的封測服務(wù)覆蓋DRAM、Flash等各種存儲芯片產(chǎn)品。

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結(jié)語

存儲芯片作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo),呈現(xiàn)出較強的周期性,行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大,在景氣度高漲時,各廠商擴大產(chǎn)能以增加收入,易導(dǎo)致供應(yīng)過剩,而在景氣度下降時則收縮產(chǎn)能、降價清理庫存,最終導(dǎo)致市場供不應(yīng)求。從歷史周期維度看,存儲行業(yè)周期約為3-4年,而本周期自2020年Q1起始,于2022年Q1價格階段性見頂,目前已連續(xù)6個季度降價。

當(dāng)下已接近這一輪存儲芯片市場周期的底部,國內(nèi)也已經(jīng)涌現(xiàn)出一批很受市場關(guān)注的企業(yè)正努力抓住機遇,憑借成本優(yōu)勢、技術(shù)性能等迅速在市場站穩(wěn)腳跟。待市場景氣度回升,國產(chǎn)存儲廠商有望分得更大的市場。

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