本文來自微信公眾號“半導體行業(yè)觀察”。
三星電子和SK海力士正在激烈競爭，以引領人工智能（AI）時代的下一代半導體市場。兩家公司都在努力通過新產品開發(fā)和大規(guī)模生產時機來獲得優(yōu)勢。隨著英特爾加入競爭，全球半導體戰(zhàn)線正在擴大。
4月21日消息，據(jù)業(yè)內人士透露，三星電子和SK海力士近日宣布了下一代半導體量產計劃。焦點在于誰能最先將這些新產品推向市場，吸引相當多的關注。
1月份，SK海力士開始量產8層第五代高帶寬存儲器（HBM）3E，并取得早期領先。三星電子計劃在今年上半年開始量產自己的8層HBM3E。
三星電子率先開發(fā)12層HBM3E，并于2月份開發(fā)成功。它的目標是在今年晚些時候開始大規(guī)模生產，并向美國半導體公司英偉達供貨。與此同時，據(jù)報道SK海力士上半年向Nvidia交付了12層HBM3E原型。
兩家公司還競相開發(fā)第六代HBM4。三星電子制定了明年開發(fā)HBM4并于2026年開始量產的路線圖。HBM4產品計劃提供三種選擇：8層、12層和16層配置。
SK海力士還計劃在2026年實現(xiàn)HBM4量產。為了實現(xiàn)這一目標，該公司與世界領先的代工（半導體合同制造）公司臺灣臺積電合作。SK海力士計劃采用臺積電先進邏輯工藝技術生產HBM4。
為了對抗SK海力士-臺積電聯(lián)盟，三星電子作為唯一一家擁有完整生產、代工和封裝工藝的半導體公司，強調其為客戶提供定制化HBM解決方案的能力。
在DRAM領域，競爭仍在繼續(xù)。三星電子最近發(fā)布了用于設備上人工智能的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM，其速度達到創(chuàng)紀錄的10.7 Gbps（千兆位每秒），超過了SK海力士用于移動設備的LPDDR5T，后者去年達到了9.6 Gbps。
此外，三星電子計劃于今年年底開始量產第六代10納米(nm)DRAM，并于2026年開始量產第七代10納米DRAM。SK海力士計劃于第三年推出第六代10納米DRAM。.季度，領先于三星電子的年終生產目標。
市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度，三星電子占據(jù)DRAM市場45.5%的份額，而SK海力士則占據(jù)31.8%。在HBM市場，SK海力士擁有53%的市場份額，三星電子擁有35%的市場份額。下一代半導體的發(fā)展可能會顯著改變市場格局，使兩家公司保持高度警惕。
與此同時，美國半導體公司英特爾正在加快步伐，通過引進荷蘭半導體設備公司ASML的先進設備，追趕臺積電和三星電子。英特爾最近在其位于美國俄勒岡州的研發(fā)中心安裝了ASML的下一代高數(shù)值孔徑極紫外光刻(EUV)設備，高數(shù)值孔徑EUV可以繪制更詳細的半導體電路圖，英特爾是第一家采用這種技術的代工廠。采用該技術。
英特爾計劃在今年年底前開始量產1.8納米工藝。如果一切按計劃進行，英特爾將擊敗臺積電和三星電子，后者計劃明年開始大規(guī)模生產2納米工藝。
HBM，競爭激烈
隨著AI半導體領域的持續(xù)競爭，晶圓代工（代工芯片制造）行業(yè)因需求停滯和產能過剩而面臨新的挑戰(zhàn)。與此同時，人工智能關鍵組成部分高帶寬內存（HBM）領域的主導地位爭奪正在加劇，半導體公司之間的競爭不斷升級。
三星電子已將泰勒工廠的運營從2024年底推遲到2026年。這一推遲被視為考慮到代工市場狀況調整投資速度的戰(zhàn)略舉措。
業(yè)界一直暗示今年代工行業(yè)的增長可能達不到預期。臺積電在4月18日的第一季度財報電話會議上，將今年代工增長的預測從“約20%”下調至“十幾歲左右”。
對于制造工藝至關重要的極紫外（EUV）光刻市場也正在經歷類似的趨勢。荷蘭公司ASML的新訂單額從2022年第四季度的56億歐元驟降至2023年第一季度的6.5億歐元，暴跌88.4%。
在此背景下，隨著新的制造廠將于明年開業(yè)，人們擔心產能過剩。臺積電正在美國亞利桑那州建設兩座代工工廠，第一座工廠預計于2025年初投入運營，第二座工廠預計于2028年投入運營。第一座工廠位于日本熊本，已于2月開業(yè)，第二座工廠預計于2028年開業(yè)。預計于2027年之前開始運營。英特爾著眼于代工業(yè)務的復蘇，計劃在美國、歐洲和以色列建造新的代工設施。
在對AI半導體至關重要的HBM市場，“SK海力士-臺積電”聯(lián)盟與三星電子的競爭正在加劇。
SK海力士近日宣布與臺積電合作開發(fā)下一代HBM，利用臺積電的代工技術來提高其第6代HBM產品的能效和性能。兩家公司都是Nvidia的客戶，創(chuàng)建了一個強大的人工智能半導體聯(lián)盟，涉及GPU（Nvidia）、代工廠（臺積電）和HBM（SK海力士）。
另一方面，三星電子必須與他們競爭。雖然SK海力士只生產內存，因此不是臺積電的直接競爭對手，但三星電子作為制造內存、代工廠和系統(tǒng)LSI的集成設備制造商（IDM），在業(yè)務運營上與臺積電有重疊。
三星電子計劃憑借超過12層的產品重新奪回市場主導地位。今年2月成功開發(fā)出業(yè)界最高產能的12層HBM3E，預計第二季度將與8層產品一起供應給Nvidia。對于HBM4，三星的目標是引入16層技術。
盡管代工需求低迷，但三星電子和SK海力士的盈利前景預計將較上年大幅改善。金融投資行業(yè)預測，SK海力士Q1營收將達到121021億韓元，營業(yè)利潤17654億韓元。預計今年營業(yè)利潤將超過21萬億韓元。對于三星電子的DS部門，預計第一季度的營業(yè)利潤在7000億至1.8萬億韓元之間，由于DS部門業(yè)績的改善，全年營業(yè)利潤預計將在35萬億韓元左右。
SK海力士和三星，股價暴跌
韓國兩大半導體巨頭三星電子和SK海力士雙雙收低。此次下跌是受到半導體股價同時大幅下跌的影響，英偉達在美國市場的股價下跌了10%。
4月22日，三星電子在KOSPI市場收盤價為76,100韓元（55.14美元），較前一交易日下跌1,500韓元，跌幅為1.93%。盡管韓國綜合股價指數(shù)顯示機構買盤強勁，漲幅超過1%，但三星電子卻出現(xiàn)低迷，表明其股價下跌。此前大量購買三星電子股票的外國投資者轉為凈賣家，導致股價下跌。
另一家半導體龍頭代表SK海力士也收低至171,600韓元，較前一交易日下跌1,700韓元，跌幅0.98%。SK海力士在交易期間跌至3%的區(qū)間，但在收盤前成功收窄跌幅。與三星電子一樣，外國投資者通過大量拋售股票，在壓低股價方面發(fā)揮了主導作用。
兩只股票的疲軟歸因于周末美國市場半導體股的大幅下跌。4月19日（當?shù)貢r間）紐約證券交易所，英偉達收盤價為762美元，較前一交易日下跌10%。英偉達在交易中跌幅穩(wěn)步加大，導致其市值在收盤時暴跌至2萬億美元。
受此影響，被譽為“第二英偉達”的AMD收盤下跌5.44%；美國最大半導體公司英特爾上漲2.40%；美國最大的DRAM制造商美光科技(Micron Technology)上漲了4.61%。同日，追蹤半導體公司的費城半導體指數(shù)也整體收跌4.12%。
美國半導體股票的疲軟反映了市場對半導體需求的擔憂。上周，荷蘭半導體設備公司ASML宣布第一季度訂單弱于預期，而臺灣臺積電則下調了今年不包括內存在內的半導體行業(yè)的增長預期。這些事態(tài)發(fā)展加劇了投資者的擔憂。
除了這些擔憂之外，人工智能服務器公司Supermicro還引發(fā)了進一步的擔憂。4月19日，超微宣布了第一季度財報的發(fā)布日期，但這一次它沒有透露臨時業(yè)績。因此，投資者將此解讀為人工智能半導體需求下降的跡象，并大量拋售半導體股票。
證券行業(yè)也有分析認為，半導體股的大幅下跌帶來了投資組合擴張的機會。近期美國降息預期受挫以及中東風險的出現(xiàn)，加上對盈利的擔憂，導致各大公司股價過度下跌。還提到，隨著內存半導體價格持續(xù)回升，商業(yè)狀況改善的預期依然存在。
未來資產證券研究員Kim Young-gun表示：“利用這個調整期考慮重新進入Nvidia或擴大在行業(yè)領域的權重也可能很有意義。從本月數(shù)據(jù)來看，值得注意的是NAND需求的復蘇情況。”
分析師還表示，主要科技公司定于本周發(fā)布的財報將決定股價的走向。在美國，Verizon定于4月22日公布財報，特斯拉定于4月23日公布，Meta和IBM定于4月24日公布，Alphabet(谷歌)、微軟和英特爾定于4月25日公布財報。在韓國，SK海力士定于公布第一季度財報，并于4月25日召開電話會議。
