本文來自微信公眾號(hào)“半導(dǎo)體行業(yè)觀察”，作者/李晨光。
近年來，隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車以及光伏儲(chǔ)能等行業(yè)的快速發(fā)展和滲透率不斷提升，這些應(yīng)用場(chǎng)景引領(lǐng)的需求增長為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展提供了核心驅(qū)動(dòng)力，給包括射頻和功率器件等在內(nèi)的細(xì)分市場(chǎng)帶來較大機(jī)遇，市場(chǎng)需求廣闊。
一方面，無線通信市場(chǎng)的快速發(fā)展，以及在新技術(shù)、新需求、新場(chǎng)景的共同作用下，全方位促進(jìn)射頻芯片市場(chǎng)規(guī)模高速增長。另一方面，近年來光伏、儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)的崛起，新能源汽車的持續(xù)滲透為功率電子市場(chǎng)注入了持續(xù)動(dòng)力。
據(jù)Yole Development數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2025年全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模將增長至258億美元，2018年至2025年年復(fù)合增速約為8%；全球功率器件市場(chǎng)將從2023年的約230億美元快速增長到2028年的333億美元，市場(chǎng)潛力巨大。
在此趨勢(shì)下，蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱：華太電子）作為國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者，率先在此展開多元化布局，聚焦射頻、功率、專用模擬芯片、工控SoC芯片、高端散熱材料等多產(chǎn)品線的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測(cè)業(yè)務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信基站、光伏發(fā)電與儲(chǔ)能、制造裝備、新能源汽車、工業(yè)控制等場(chǎng)景。
面對(duì)廣闊的市場(chǎng)前景和激烈的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，華太電子依托多年積累的產(chǎn)品和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以差異化競(jìng)爭(zhēng)為創(chuàng)新策略，充分挖掘市場(chǎng)與客戶需求，并融合全產(chǎn)業(yè)鏈布局理念，旨在引領(lǐng)國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的新突破。
國產(chǎn)芯片廠商的破局秘鑰
超結(jié)IGBT率先落地
從華太電子的布局中不難看到，其擁有著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術(shù)、多領(lǐng)域布局協(xié)同發(fā)展的全面布局優(yōu)勢(shì)。
其中，超結(jié)IGBT作為功率業(yè)務(wù)的核心，就是華太電子向市場(chǎng)出擊的一把“利刃”。
眾所周知，功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要組成部分，是電力電子應(yīng)用裝備的基礎(chǔ)和核心器件，尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域起著無法替代的關(guān)鍵作用。
近年來，隨著新能源產(chǎn)業(yè)的興起和功率半導(dǎo)體技術(shù)不斷升級(jí)，作為核心器件之一的IGBT應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展，廣泛應(yīng)用于光伏發(fā)電、儲(chǔ)能、新能源汽車、充電樁和工業(yè)控制等領(lǐng)域。
自IGBT問世以來，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，產(chǎn)品已經(jīng)歷了7代的迭代發(fā)展，器件的可靠性、應(yīng)用頻率和功率損耗等均有了很大提升。
但是，隨著科技不斷進(jìn)步，傳統(tǒng)的IGBT結(jié)構(gòu)和技術(shù)越來越接近其理論極限，沿著現(xiàn)有IGBT路徑，進(jìn)一步提升器件性能變得困難。因此，IGBT行業(yè)開始不斷涌現(xiàn)出新的技術(shù)，旨在提升器件的性能和可靠性。
被譽(yù)為“功率MOS里程碑”的超結(jié)技術(shù)，近年來逐漸被引入IGBT領(lǐng)域，超結(jié)IGBT結(jié)合了場(chǎng)FS-IGBT和超結(jié)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，可在更短漂移區(qū)長度下實(shí)現(xiàn)高耐壓和低損耗，為IGBT性能的進(jìn)一步提升提供了新的思路。
在這一創(chuàng)新技術(shù)路徑下，華太電子走在了超結(jié)IGBT技術(shù)和產(chǎn)品規(guī)?；慨a(chǎn)的前列。
據(jù)了解，早在2018年華太電子就開始在此展開技術(shù)研發(fā)，至今已經(jīng)走過了近6年的時(shí)間，其超結(jié)IGBT產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)和性能迭代。
華太電子IGBT相關(guān)負(fù)責(zé)人向筆者表示，超結(jié)IGBT是一種通過改變IGBT芯片結(jié)構(gòu)來提高IGBT性能的技術(shù)方向，通過在IGBT芯片漂移區(qū)中引入交替排列的P型和N型半導(dǎo)體區(qū)域，引入“超結(jié)”的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)能夠有效地改善芯片內(nèi)部的電場(chǎng)分布，使得芯片的承壓能力進(jìn)一步加強(qiáng)。同時(shí)，超結(jié)技術(shù)還能夠降低IGBT芯片的導(dǎo)通壓降，提高其導(dǎo)電效率，從而減少了能量損耗和發(fā)熱量。
相較與傳統(tǒng)FS IGBT，超結(jié)IGBT可完美實(shí)現(xiàn)高耐壓、低通態(tài)壓降的電學(xué)特性，優(yōu)勢(shì)明顯：
●低導(dǎo)通壓降：在同樣的反向承壓能力下，超結(jié)IGBT具有更薄的漂移區(qū)，可有效降低芯片導(dǎo)通壓降；
●低開關(guān)損耗：漂移區(qū)的超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠加速空間電場(chǎng)建立速度，有效提升器件開關(guān)速度，進(jìn)而降低開關(guān)損耗；
●高轉(zhuǎn)換效率：一代產(chǎn)品與英飛凌H5系列IGBT相比，靜態(tài)導(dǎo)通損耗降低10%，動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗降低15%，效率更高。二代產(chǎn)品相較于英飛凌H7，靜態(tài)導(dǎo)通損耗降低1.4%，動(dòng)態(tài)關(guān)斷損耗降低64%，綜合性能提升59%，其優(yōu)異的開關(guān)性能可滿足更高頻率的應(yīng)用需求（>100kHz）。
產(chǎn)品和技術(shù)的優(yōu)勢(shì)其真正的價(jià)值在于給客戶帶來多少收益。據(jù)了解，超結(jié)IGBT具備高頻工作能力，促使電力變換系統(tǒng)具有更小的被動(dòng)器件尺寸、更優(yōu)化的散熱方案、更簡(jiǎn)單的拓?fù)浜透p量、更低的成本等，通過差異化技術(shù)路線為客戶帶來實(shí)際價(jià)值。
在諸多優(yōu)勢(shì)加持下，華太電子量產(chǎn)的650V超結(jié)IGBT產(chǎn)品目前已在光伏、儲(chǔ)能、電池充電等領(lǐng)域取得較快應(yīng)用進(jìn)展，2023年產(chǎn)能達(dá)300萬只。
據(jù)悉，在華太電子二代超結(jié)IGBT量產(chǎn)后，憑借在高頻性能方面的突出優(yōu)勢(shì)，正在進(jìn)行技術(shù)方向的探索，瞄準(zhǔn)原來用超結(jié)MOS器件的應(yīng)用場(chǎng)景，例如光伏逆變、充電模塊、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、OBC等領(lǐng)域，目前在客戶端已經(jīng)取得初步成效。
談到未來產(chǎn)品規(guī)劃時(shí)，華太電子表示，前期產(chǎn)品開發(fā)主要以650V電壓段為主。但由于整個(gè)電力電子應(yīng)用涉及更多的電壓平臺(tái)，后續(xù)將向兩個(gè)方向發(fā)展：一是圍繞全系列做開發(fā)，由最開始的650V，向750V、950V、1200V等電壓等級(jí)拓展；第二個(gè)方向是側(cè)重在電流等級(jí)方面，開發(fā)更多不同電流等級(jí)的產(chǎn)品。除此之外，由單管IGBT向模組產(chǎn)品演進(jìn)，以適配大功率模組的應(yīng)用需求。
綜合來看，作為國內(nèi)首家推出超結(jié)IGBT的企業(yè)，華太電子率先成功的商業(yè)化應(yīng)用為IGBT的發(fā)展創(chuàng)新提供了很好的指引，在諸多新興產(chǎn)業(yè)的需求牽引下，進(jìn)一步推動(dòng)功率電子市場(chǎng)不斷向前邁進(jìn)。
除此之外，華太電子還具備業(yè)界領(lǐng)先的FS IGBT、IGBT和SiC模組研發(fā)能力，配合先進(jìn)的全自動(dòng)化模塊封測(cè)基地，致力于打造優(yōu)異的IGBT和SiC模塊產(chǎn)品。
射頻器件“大本營”
超結(jié)IGBT這個(gè)“殺手锏”之外，射頻產(chǎn)品才是華太電子最早起家的“大本營”。
回顧其發(fā)展歷程能發(fā)現(xiàn)，自2010年成立之初，華太電子就聚焦在射頻PA領(lǐng)域，開發(fā)RF LDMOS工藝器件。
●2015年，量產(chǎn)國內(nèi)首創(chuàng)GSM基站的大功率射頻功率芯片；
●2017年，量產(chǎn)國內(nèi)首創(chuàng)4G LTE基站的射頻功率芯片；
●2018年，RF LDMOS年出貨量超過2000萬顆；
●2021年，LDMOS芯片出貨量突破1億顆；
●2022年，在自己封測(cè)工廠瑤華封測(cè)ACS射頻大功率產(chǎn)品，量產(chǎn)100w顆；
●2023年，RF大功率ACS封裝(GaN&LDMOS)出貨量超420萬只，射頻PA器件發(fā)貨超1.7億顆...
能看到，多年來的每一步進(jìn)展都宣告著，華太電子在射頻業(yè)務(wù)上取得的“里程碑”。
作為無線通訊的技術(shù)關(guān)鍵，射頻技術(shù)的創(chuàng)新成為推動(dòng)為萬物互聯(lián)行業(yè)發(fā)展的核心引擎。伴隨著5G網(wǎng)絡(luò)商用、物聯(lián)網(wǎng)和寬帶專用網(wǎng)絡(luò)的迅速發(fā)展，高速、低延遲的通信需求推動(dòng)了先進(jìn)的射頻芯片研發(fā)和生產(chǎn)，成為推動(dòng)行業(yè)快速增長的重要?jiǎng)恿Α?/p>
其中，射頻功率放大器（PA）作為射頻前端中的重要器件，其性能直接影響了信號(hào)的強(qiáng)弱、穩(wěn)定性、功耗等重要因素，決定著用戶體驗(yàn)和節(jié)能降耗。PA核心參數(shù)包括增益、帶寬、效率、線性度、最大輸出功率等，眾多平衡的性能指標(biāo)非?？简?yàn)設(shè)計(jì)能力。
隨著技術(shù)和市場(chǎng)需求的不斷迭代，對(duì)射頻PA的技術(shù)性能需求再次拉升，需要PA有更高的工作頻率、更高的功率、更大的帶寬，同時(shí)模組化的到來也需要PA設(shè)計(jì)滿足高集成度模組化的需求。
在市場(chǎng)需求和技術(shù)要求的雙重驅(qū)動(dòng)下，包括PA在內(nèi)的射頻芯片逐漸發(fā)展為成長最快的方向之一。Yole此前曾預(yù)測(cè)2025年P(guān)A市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到104億美元，市場(chǎng)空間廣闊。
然而，現(xiàn)階段全球射頻芯片市場(chǎng)主要被美日大廠占據(jù)，形成了寡頭壟斷格局。國內(nèi)射頻芯片廠商起步較晚，但今年在政策支持和市場(chǎng)需求的推動(dòng)下，射頻器件各細(xì)分賽道涌現(xiàn)出許多新創(chuàng)公司，國產(chǎn)射頻器件取得較快發(fā)展，在某些領(lǐng)域已經(jīng)可以替代國際廠商同類產(chǎn)品。
以射頻芯片起家的華太電子，便是其中的佼佼者。
據(jù)華太電子射頻產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人介紹，華太電子自2010年開始就致力于LDMOS工藝的研究，針對(duì)不同場(chǎng)景開發(fā)產(chǎn)品方案，主要分為MIMIC、分立器件、寬帶專網(wǎng)三個(gè)產(chǎn)品部。前兩者用于運(yùn)營商客戶的公網(wǎng)通信；寬帶專網(wǎng)則針對(duì)對(duì)講機(jī)、射頻解凍加熱、醫(yī)療設(shè)備/制造裝備射頻源等專網(wǎng)領(lǐng)域。
同時(shí)，華太電子也在對(duì)GaN產(chǎn)品加大研發(fā)投入，通過整合這多種互補(bǔ)技術(shù)并采用創(chuàng)新架構(gòu)，能夠?yàn)橐苿?dòng)通信小型基站、mMIMO基站和移動(dòng)通信宏站市場(chǎng)提供解決方案。
華太電子的射頻芯片基于完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的LDMOS工藝平臺(tái)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了規(guī)模化量產(chǎn)。其中，基于高性能低成本的LDMOS MMIC工藝，華太電子設(shè)計(jì)了高性能射頻功率放大器芯片，實(shí)現(xiàn)了高效率、寬帶和完備的50歐姆輸入輸出匹配功能。這一努力也使產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)技術(shù)領(lǐng)先，已經(jīng)在通信小基站領(lǐng)域量產(chǎn)發(fā)貨超過600萬顆！
在面向mMIMO和Macro RRU宏站等公網(wǎng)通信場(chǎng)景的LDMOS分立器件和GaN分立器件部分，華太電子開發(fā)的60W、80W的Sub-1G產(chǎn)品，過去兩三年發(fā)貨量超過百萬顆，銷售額達(dá)幾億規(guī)模。
尤為值得關(guān)注的是，在寬帶專網(wǎng)領(lǐng)域，華太電子為此推出了拳頭產(chǎn)品2K0，滿足行業(yè)客戶需求。
據(jù)了解，2K0是基于華太電子的65V LDMOS平臺(tái)開發(fā)出的射頻PA，單芯片支持2000W以上的功率輸出、提供30dB增益，峰值效率高達(dá)88%，能夠給客戶帶來成本、效率和供應(yīng)鏈安全等諸多優(yōu)勢(shì)，更好地滿足醫(yī)療設(shè)備、制造設(shè)備射頻源等應(yīng)用需求。據(jù)悉，該方案在行業(yè)內(nèi)很受歡迎，供不應(yīng)求。
綜合來看，華太電子十多年來持續(xù)深耕射頻市場(chǎng)，擁有了諸多核心專利，2015年就開始在頭部客戶開始出貨。隨著時(shí)間迭代，從28V到50V再到65V LDMOS平臺(tái)，工藝平臺(tái)越做越成熟，2019年小站和Sub-1G宏站產(chǎn)品在國內(nèi)頭部客戶取得重大突破，出貨量大幅提升。
而華太電子之所以能取得技術(shù)和市場(chǎng)上的雙重進(jìn)展，取決于多方面優(yōu)勢(shì)因素：
●虛擬IDM模式：與國內(nèi)大部分友商的Fabless模式相比，華太電子是虛擬IDM公司，即很早就與FAB廠展開緊密合作，打造28V/50V/65V LDMOS工藝平臺(tái)的核心專利，以及在材料、封測(cè)業(yè)務(wù)方面的布局。形成了從芯片設(shè)計(jì)到晶圓制造，從封裝測(cè)試到量產(chǎn)發(fā)貨，每個(gè)環(huán)節(jié)都有核心的戰(zhàn)略布局和競(jìng)爭(zhēng)力，能夠做到全流程的自主可控和國產(chǎn)化，為客戶提供安全的供應(yīng)鏈條。
●團(tuán)隊(duì)&產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：華太擁有業(yè)界領(lǐng)先的模型團(tuán)隊(duì)、芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)，綜合起來打造了華太的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)和技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。
●客戶認(rèn)可：通過長期以來積累聲譽(yù)和信用，促進(jìn)了頭部客戶對(duì)華太電子的認(rèn)可和支持，推動(dòng)出貨量提升。進(jìn)而通過產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的緊密合作，提高整個(gè)行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。
●國際環(huán)境：同樣借助國際大環(huán)境的推動(dòng)，帶動(dòng)國產(chǎn)廠商的技術(shù)和市場(chǎng)演進(jìn)。
這些既是華太電子射頻產(chǎn)品線的一大特色，也是其功率產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)所在。華太電子憑借自有核心工藝平臺(tái)、產(chǎn)品性能、可靠性、全產(chǎn)業(yè)鏈布局等方面的差異化優(yōu)勢(shì)，幫助客戶贏得市場(chǎng)。
針對(duì)接下來的產(chǎn)品規(guī)劃，華太電子表示，未來將圍繞技術(shù)演進(jìn)和市場(chǎng)需求雙輪驅(qū)動(dòng)來做選擇，繼續(xù)聚焦射頻PA產(chǎn)品，在芯片體積、功率密度、可靠性和易用性等方面進(jìn)行不斷優(yōu)化迭代，給市場(chǎng)和客戶帶來價(jià)值，持續(xù)提升自身市場(chǎng)份額。
縱觀當(dāng)前行業(yè)現(xiàn)狀，在射頻領(lǐng)域參與競(jìng)爭(zhēng)的國內(nèi)芯片企業(yè)數(shù)量日益增加。然而，在一個(gè)本應(yīng)該很好的國產(chǎn)替代良機(jī)下，卻更多呈現(xiàn)出“替代國產(chǎn)”之勢(shì)，國內(nèi)射頻芯片同質(zhì)化現(xiàn)象嚴(yán)重，國內(nèi)PA產(chǎn)品大多停留在中低端應(yīng)用，布局高端應(yīng)用的廠商不多。
對(duì)此，企業(yè)需要具備強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和供應(yīng)鏈整合能力，還需要關(guān)注市場(chǎng)需求的變化，加強(qiáng)產(chǎn)品差異化研發(fā)，提高自身的競(jìng)爭(zhēng)力才能在市場(chǎng)中立足并取得成功。
正是如此，華太電子在射頻領(lǐng)域的全流程布局和差異化優(yōu)勢(shì)，或?qū)⑻岣邍鴥?nèi)廠商布局高端PA的信心，在射頻PA領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國際領(lǐng)先。
選擇與聚焦，是一家企業(yè)的智慧
然而除了在射頻和功率業(yè)務(wù)上的布局外，華太電子還相繼拓展出了模擬芯片、專用SoC、高端散熱材料等產(chǎn)品業(yè)務(wù)，形成多產(chǎn)品線協(xié)同發(fā)展之勢(shì)，突出其全面布局能力和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
華太電子模擬產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人對(duì)此表示，在做射頻和功率器件過程中，光伏逆變和儲(chǔ)能行業(yè)的諸多客戶對(duì)模擬芯片和主控芯片也提出了使用需求，在此情形下，華太電子以客戶需求為牽引，在已有的兩大拳頭產(chǎn)品線的基礎(chǔ)上，相繼開拓出對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品方案為行業(yè)客戶賦能，進(jìn)一步滿足客戶的差異化需求。
模擬芯片，迎來快速輸出期
在模擬芯片領(lǐng)域，華太電子延伸出了HAD驅(qū)動(dòng)保護(hù)類、HAB電池管理類和HAP電源類等三大模擬產(chǎn)品線，產(chǎn)品包括PA控制器、電源芯片、功率驅(qū)動(dòng)與保護(hù)和BMS AFE等芯片。
據(jù)悉，目前多個(gè)產(chǎn)品線已有產(chǎn)品批量出貨或即將迎來發(fā)布銷售，經(jīng)過幾年的技術(shù)和核心IP的積累，2024年華太電子在模擬產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)⒂瓉懋a(chǎn)品快速輸出期。
華太電子強(qiáng)調(diào)，當(dāng)前隨著國產(chǎn)模擬芯片技術(shù)提升及進(jìn)口替代需求，該市場(chǎng)正在快速增長。但模擬產(chǎn)品種類繁多，華太電子聚焦在大客戶和已有市場(chǎng)去做針對(duì)性拓展，不會(huì)輕易跳到新的陌生領(lǐng)域。
也正是基于這樣的公司戰(zhàn)略，隨著技術(shù)和市場(chǎng)的不斷變化和演進(jìn)，華太電子在深入了解市場(chǎng)痛點(diǎn)和洞悉客戶需求過程中，看到了發(fā)展模擬芯片的契機(jī)，以此來進(jìn)一步滿足客戶需求，幫助其打造差異化優(yōu)勢(shì)。
例如在國產(chǎn)進(jìn)程較慢的數(shù)?；旌虾透邏合盗挟a(chǎn)品方面，華太電子模擬團(tuán)隊(duì)?wèi){借多年來的技術(shù)積累，工藝方面的know how和對(duì)于數(shù)?；旌夏芰Φ恼瓶兀柚谑袌?chǎng)變化和團(tuán)隊(duì)實(shí)力，形成了華太電子在模擬芯片領(lǐng)域產(chǎn)品規(guī)劃的路徑。
未來，華太電子的模擬產(chǎn)品將主要圍繞上述三個(gè)方向繼續(xù)深耕，加強(qiáng)產(chǎn)品系列化過程，向更高電壓、高集成等方向發(fā)展，同時(shí)結(jié)合客戶需求不斷迭代，打造差異化產(chǎn)品，豐富產(chǎn)品組合。
主控MCU，打破國際壟斷
伴隨物聯(lián)網(wǎng)、通信技術(shù)不斷演進(jìn)，產(chǎn)業(yè)鏈日趨成熟背景下，MCU芯片作為終端控制節(jié)點(diǎn)和嵌入式應(yīng)用的核心器件，變得愈發(fā)重要。
與此同時(shí)，在工業(yè)與新能源領(lǐng)域，主控芯片MCU市場(chǎng)長期以來被TI壟斷，單一供應(yīng)鏈存在較大風(fēng)險(xiǎn)。
在此情形下，客戶的更多需求讓華太電子看到了新的機(jī)會(huì)點(diǎn)。
2020年，華太電子開始在此展開動(dòng)作，組建完善的SoC團(tuán)隊(duì)進(jìn)軍實(shí)時(shí)控制處理器市場(chǎng)，經(jīng)過兩三年的歷練和磨合，2023年華太MCU芯片已完成流片回測(cè)，2024年上半年產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)。
據(jù)華太電子SoC產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人描述，目前國內(nèi)MCU友商大部分對(duì)標(biāo)的是ST的通用型MCU，而華太電子推出的MCU則類似于TI的專用MCU，聚焦工業(yè)變頻、新能源行業(yè)應(yīng)用等特定市場(chǎng)，在外設(shè)，加速器等方面進(jìn)行針對(duì)性優(yōu)化。并且能夠與華太電子自身的射頻、功率產(chǎn)品搭配形成戰(zhàn)略協(xié)同，在細(xì)分領(lǐng)域形成整合方案為客戶更好賦能。
“針對(duì)工業(yè)和新能源領(lǐng)域的MCU市場(chǎng)，華太電子雖然起步晚但也有后發(fā)優(yōu)勢(shì)”，華太電子表示，作為后來者，公司可以根據(jù)現(xiàn)有的市場(chǎng)需求和應(yīng)用痛點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化和提升，比如在ADC精度差不多的情況下，華太電子MCU采樣速率可以做到2倍以上；通過提高主頻來提升環(huán)路性能，在客戶測(cè)試、性能驗(yàn)證過程中，展現(xiàn)出華太電子MCU產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)和競(jìng)爭(zhēng)力；以及外設(shè)使用上的便利性和靈活性進(jìn)行調(diào)整，更好地滿足客戶需求。
據(jù)悉，目前華太電子正在規(guī)劃中高端MCU芯片，通過開發(fā)系列產(chǎn)品，豐富MCU矩陣。同時(shí)在AI浪潮下，華太也計(jì)劃在MCU端提升邊緣計(jì)算的能力，為客戶提供更好的平臺(tái)，拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，建立自己的護(hù)城河。
回顧華太電子發(fā)展歷程能看到，在萬物互聯(lián)的需求指引下，射頻作為其大本營，體現(xiàn)了對(duì)器件工藝的know how，基于底層技術(shù)的相通性，從射頻向功率器件的拓展是工藝技術(shù)的橫向牽引，進(jìn)而將應(yīng)用場(chǎng)景從萬物互聯(lián)拓展至新能源和工控行業(yè)。
多年來，華太電子圍繞這兩大領(lǐng)域繼續(xù)深耕，根據(jù)客戶需求和市場(chǎng)形勢(shì)，逐漸發(fā)現(xiàn)了比如模擬芯片和實(shí)時(shí)控制MCU等在內(nèi)的更多新的機(jī)會(huì)點(diǎn)，由此延伸出了模擬芯片和專用SoC芯片等產(chǎn)品線，旨在特定領(lǐng)域打造產(chǎn)品矩陣和差異化競(jìng)爭(zhēng)力。
同時(shí)，華太電子也在大力布局高端材料市場(chǎng)，聚焦大功率半導(dǎo)體器件散熱及封裝材料的研發(fā)和制造，其高端熱沉材料具有國內(nèi)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用于射頻、功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域；還擁有領(lǐng)先的ACS管殼，打破國外壟斷；銅復(fù)合材料、氮化硅陶瓷、封裝膠水等核心封裝材料，保證客戶供應(yīng)安全，提高高端散熱材料的國產(chǎn)化能力。
整體來看，華太電子圍繞底層核心技術(shù)、產(chǎn)品線布局、公司戰(zhàn)略和客戶痛點(diǎn)需求等多方面協(xié)同配合，每個(gè)環(huán)節(jié)的核心價(jià)值點(diǎn)都有自身的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，最終形成了客戶-產(chǎn)品-底層技術(shù)的良性循環(huán)。通過深入發(fā)掘市場(chǎng)痛點(diǎn)、了解客戶需求、多產(chǎn)品線協(xié)同布局，以此來提升產(chǎn)品性能和效率，幫助客戶解決痛點(diǎn)問題，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
結(jié)語
當(dāng)前，半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷新一輪的周期波動(dòng)，隨著終端市場(chǎng)出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性回暖，整體產(chǎn)業(yè)目前正迎來復(fù)蘇勢(shì)頭，半導(dǎo)體行業(yè)釋放出暖意。與此同時(shí)，近年來隨著國際貿(mào)易關(guān)系的持續(xù)波動(dòng)，國產(chǎn)半導(dǎo)體也在波折中迸發(fā)出新生機(jī)。
在行業(yè)與市場(chǎng)的挑戰(zhàn)下，5G、AI、新能源等新技術(shù)應(yīng)用增強(qiáng)了產(chǎn)業(yè)鏈的需求和韌性，同時(shí)結(jié)合當(dāng)前芯片國產(chǎn)化趨勢(shì)的浪潮，國產(chǎn)廠商迎來新的發(fā)展機(jī)遇。
華太電子躋身其中，在萬物互聯(lián)和新能源市場(chǎng)的時(shí)代浪潮中，致力于通過長期的技術(shù)積累與創(chuàng)新，構(gòu)建起完善的射頻、功率、SoC、模擬產(chǎn)品線布局及材料、封測(cè)等全流程業(yè)務(wù)體系，為客戶提供高性能、高可靠性的差異化產(chǎn)品及解決方案。
縱觀行業(yè)現(xiàn)狀，對(duì)國內(nèi)廠商來說，老將新兵正爭(zhēng)相涌入。在市場(chǎng)、技術(shù)、產(chǎn)品都已“整裝待發(fā)”的大環(huán)境下，除了需要不斷提高自身核心競(jìng)爭(zhēng)力外，還要沉下心來，一步步持續(xù)演進(jìn)和迭代，堅(jiān)持下去才有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)新的突破。
環(huán)顧當(dāng)下，華太電子率先吹響了大舉進(jìn)攻市場(chǎng)新藍(lán)海的號(hào)角。
