本文來自半導(dǎo)體行業(yè)觀察，作者/L晨光。
過去兩年，缺芯潮和漲價潮此起彼伏，席卷全球。進(jìn)入2022年，曾經(jīng)火熱的終端市場開始逐漸冷卻。
尤其二季度以來，全球經(jīng)濟(jì)在俄烏沖突、疫情重燃、貿(mào)易制裁等一系列黑天鵝事件沖擊下，下行風(fēng)險加劇，通脹、債務(wù)、裁員等詞匯頻繁出現(xiàn)，不斷強(qiáng)化著人們的危機(jī)意識。
在此宏觀背景下，近期智能手機(jī)、PC等消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)鏈下調(diào)出貨預(yù)期，上游芯片供應(yīng)商削減訂單的消息更是不絕于耳，行業(yè)進(jìn)入低迷態(tài)勢。
隨著消費(fèi)電子需求的衰退，讓芯片產(chǎn)業(yè)從2021年的“一芯難求”走向了產(chǎn)能再調(diào)整階段。其中，存儲芯片作為行業(yè)風(fēng)向標(biāo)，受終端需求影響，率先走向下行周期。
以DRAM的價格為例，據(jù)TrendForce預(yù)估，2022年第三季DRAM價格將下跌3-8%，server DRAM將再下跌0-5%，Mobile DRAM跌幅擴(kuò)大至3-8%，graphics DRAM價格仍小跌0-5%，Consumer DRAM中DDR3與DDR4價格將季減3-8%。
來源：TrendForce
針對NAND市場，TrendForce預(yù)計第三季度隨著供給過剩議題持續(xù)發(fā)酵，供應(yīng)鏈積極去化庫存引發(fā)拋貨，此舉將進(jìn)一步引發(fā)原廠競價走跌。NAND合約價預(yù)計將由原先預(yù)估的15-20%，擴(kuò)大至30-35%。
且由于產(chǎn)業(yè)傾向于第四季與后續(xù)第一季合并議價，在庫存攀高、需求急凍的情況下，跌幅持續(xù)擴(kuò)大的可能性仍在，第四季NAND wafer恐再下跌20%。
多因素沖擊存儲市場
首先，消費(fèi)市場需求疲軟是最沖擊存儲芯片的最大因素之一。
消費(fèi)電子市場的下滑，使得包括存儲芯片在內(nèi)的整個半導(dǎo)體市場的出貨量都有所收縮。
另一方面，在缺芯成為關(guān)鍵詞的前兩年，存儲巨頭們紛紛選擇擴(kuò)建提高產(chǎn)能，如今面對需求疲軟，供過于求的態(tài)勢使得存儲市場的不景氣不難理解。但本輪市場下行不僅是因為供過于求，結(jié)構(gòu)性缺貨是存儲產(chǎn)品銷量下滑的另外一個重要原因。
9月初，三星聯(lián)席首席執(zhí)行官兼半導(dǎo)體部門負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun表示：“今年下半年看起來很糟糕，截至目前，明年存儲市場似乎并沒有顯示出明顯的增長勢頭。
SK海力士也示警，存儲器行情最快要到2024年才會開始好轉(zhuǎn)，并于2025年彈升。
美光預(yù)計2022年DRAM和NAND的同比增長均會低于長期的年復(fù)合增長率。
中國臺灣存儲廠商南亞科同樣預(yù)測保守，DRAM市場受到高通脹、俄烏戰(zhàn)爭、疫情封控及消費(fèi)者購買力下滑等不確定因素影響，需求正在減弱，導(dǎo)致第三季度旺季不旺。
在這些預(yù)警之下，行業(yè)廠商開始采取應(yīng)對舉措。
今年7月，韓國存儲芯片制造商SK海力士宣布，將無限期推遲投資33億美元新建存儲芯片工廠（M17工廠）的所有擴(kuò)張計劃。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，之所以決定暫停生產(chǎn)，可能是由于成本上升以及市場對芯片的需求放緩，而目前存儲器庫存水平又較高，導(dǎo)致了SK海力士董事會無限期推遲擴(kuò)建計劃。
對于M17新工廠建設(shè)計劃，SK海力士透露，將綜合考慮半導(dǎo)體市場等經(jīng)營環(huán)境后再決定開工時間。
當(dāng)然，面對終端市場銷售的持續(xù)低迷，減少投資或項目叫停的半導(dǎo)體企業(yè)不止SK海力士一家。
面臨NAND業(yè)務(wù)驟然降溫的窘境，西部數(shù)據(jù)執(zhí)行長David Goeckeler 12日在舊金山舉辦的高盛科技論壇上也警告稱，過去一個月，基于NAND的儲存裝置報價嚴(yán)重下滑，而NAND需求也同步降溫。這將很可能會延后下一座NAND工廠的建廠時間。
Goeckeler同時表示，超大規(guī)模云端客戶的態(tài)度轉(zhuǎn)趨謹(jǐn)慎，中國環(huán)境仍充滿挑戰(zhàn)，目前看不到回溫跡象。
能夠看到，有部分存儲芯片原廠或?qū)⒉扇p產(chǎn)收縮產(chǎn)能和暫停建廠計劃等方法應(yīng)對低迷市況。然而，有業(yè)內(nèi)人士分析，原廠減產(chǎn)或暫停將帶來高昂的成本壓力，不符合企業(yè)的實際利益。綜合分析下，當(dāng)前唯有保住市場份額才是各大原廠的當(dāng)務(wù)之急。
存儲大廠“逆勢而為”
盡管有廠商選擇叫停新廠計劃，但存儲市場整體表現(xiàn)的低迷，也沒能拖住大多數(shù)存儲大廠擴(kuò)張的步伐。
三星
據(jù)外媒報道，三星位于韓國平澤的P3生產(chǎn)線近日已經(jīng)開始運(yùn)營，這是三星電子有史以來建造的最大的芯片工廠。
三星平澤園區(qū)
三星宣布將在該工廠生產(chǎn)先進(jìn)的NAND閃存芯片。如今，三星平澤園區(qū)已成為公司最重要的半導(dǎo)體制造中心，這里的各種制造設(shè)施可用于制造從14nm DRAM到5nm制程工藝以下的各種芯片產(chǎn)品。
據(jù)了解，P3生產(chǎn)線配備了荷蘭芯片設(shè)備制造商ASML的極紫外(EUV)光刻機(jī)，這對于制造先進(jìn)芯片至關(guān)重要。在平澤290萬平方米的園區(qū)內(nèi)，三星電子將繼續(xù)增添設(shè)施。同時，三星已經(jīng)開始準(zhǔn)備開辟另一條新生產(chǎn)線P4，以進(jìn)一步提高其生產(chǎn)能力。
在發(fā)布會上，三星設(shè)備解決方案部門的首席執(zhí)行官兼總裁Kyung Kye-hyun表達(dá)了悲觀的態(tài)度：“隨著全球經(jīng)濟(jì)放緩和企業(yè)收緊支出，芯片行業(yè)已進(jìn)入下行周期并面臨各種挑戰(zhàn)。我看不到下半年和明年的良好勢頭，但我們將努力把這場危機(jī)變成一個好機(jī)會。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，無論經(jīng)濟(jì)形勢如何，投資都至關(guān)重要。”
“在下行周期中減少投資可能會導(dǎo)致糟糕的結(jié)果，但持續(xù)的投資是正確的方式。”Kyung補(bǔ)充道。
目前三星在韓國有5座半導(dǎo)體工廠，分別位于器興、華城、平澤、溫陽和天安。此外，三星還在中國蘇州、天津和西安運(yùn)營著3座半導(dǎo)體工廠，在美國德州奧斯汀也有一家半導(dǎo)體工廠。除此之外，三星目前正在德州奧斯汀建造另一家半導(dǎo)體工廠，該工廠投資高達(dá)170億美元。
美光
為滿足不斷增長的市場需求和保持自身競爭優(yōu)勢，美光于去年10月宣布，未來十年將投入1500億美元用于生產(chǎn)和研發(fā)支出，并評估在各地的設(shè)廠規(guī)劃。
今年以來，市場不斷傳出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)趨于緩解的消息。其中，消費(fèi)電子應(yīng)用市場需求疲軟，存儲器產(chǎn)業(yè)也因此受到波及。
此前，美光也曾表示，行業(yè)需求環(huán)境有所減弱，預(yù)計智能手機(jī)銷量將較去年下降約5%，而個人電腦銷量可能比去年下降10%，美光正在調(diào)整產(chǎn)量增長，以適應(yīng)需求的減弱。
不過，雖然未來行業(yè)前景不確定性增加，但美光的投資步伐仍穩(wěn)步前行。此前美光于8月9日宣布在2030年底前投資400億美元，在美國分多個階段建立領(lǐng)先的存儲器制造業(yè)務(wù)。該投資正是去年宣布的1500億美元投資計劃的一部分。
9月1日，美光宣布計劃在2030年之前，投資約150億美元，在美國愛荷華州新建一個晶圓廠，用于生產(chǎn)先進(jìn)的邊緣存儲器。
這將是20年來美國本土首家存儲芯片廠，也是美國愛達(dá)荷州有史以來最大私人企業(yè)投資計劃。美光稱，該項投資將確保DRAM和NAND的國產(chǎn)化，因為大部分的DRAM和NAND產(chǎn)自亞洲。有市場人士指出，此決定是在總統(tǒng)拜登簽署《芯片與科學(xué)法案》后提出的，有望獲得該法案提供的補(bǔ)貼，另外愛達(dá)荷州獎勵措施也發(fā)揮重要作用。
新的存儲芯片工廠生產(chǎn)的產(chǎn)品將用于汽車、數(shù)據(jù)中心、AI、5G等領(lǐng)域。美光CEO Sanjay Mehrotra表示，新的存儲芯片廠將推動美國爭取技術(shù)領(lǐng)先地位，確?？煽康膰鴥?nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)，對經(jīng)濟(jì)和國家安全至關(guān)重要。
SK海力士
當(dāng)前，世界經(jīng)濟(jì)蕭條和供應(yīng)鏈不穩(wěn)定，存儲器半導(dǎo)體的需求正在急劇減少。上文提到，面對終端市場銷售的持續(xù)低迷，SK海力士叫停了M17工廠建廠進(jìn)展。
不過，由于存儲器半導(dǎo)體市況變動周期呈縮短趨勢，專家預(yù)測，存儲器市況將從2024年開始逐漸恢復(fù)，并于2025年開始回升，與過去幾年相比，業(yè)務(wù)的周期性波動性將降低。為準(zhǔn)備迎接下一個存儲市場的繁榮期，SK海力士也在持續(xù)加大布局力度。
據(jù)SK海力士官網(wǎng)信息顯示，計劃將在今后5年內(nèi)投資15萬億韓元（約合109億美元）建設(shè)M15X工廠并引進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備。據(jù)悉，M15X的建設(shè)將于10月開始，預(yù)計2025年初竣工，其規(guī)模與現(xiàn)有的清州M11和M12兩座工廠的總和相近。
圖源：SK海力士官網(wǎng)
M15X的投資決定是在存儲行業(yè)進(jìn)入下行周期時宣布的，為配合未來存儲器半導(dǎo)體市場的反彈，適時增加供應(yīng)量，M15X新晶圓廠正在為未來的增長做準(zhǔn)備，是SK海力士在經(jīng)濟(jì)低迷時期為未來增長奠定基礎(chǔ)而作的投資。
回溯SK海力士以往的逆勢投資歷史，SK海力士在2012年底經(jīng)歷了一個成功的轉(zhuǎn)折，與2011年相比，其投資增加了10%以上。2012年，半導(dǎo)體行業(yè)普遍存在減少投資的氛圍，SK海力士度過了艱難的一年。2015年，它又果斷地在利川建立了M14工廠，并最終從2017年起連續(xù)兩年實現(xiàn)了有史以來最好的經(jīng)營業(yè)績。
除了暫緩的M17廠和新規(guī)劃的M15X工廠，SK海力士在清州中心的廠區(qū)還包括M11、M12和M15三座存儲芯片工廠。
此外，SK海力士在韓國利川設(shè)有DRAM生產(chǎn)廠，在中國無錫、重慶和大連設(shè)有生產(chǎn)廠。
今年5月，SK海力士非易失性存儲器制造項目在遼寧大連開工，該項目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片產(chǎn)品。
其他廠商
此外，DRAM大廠南亞科斥資3000億新臺幣計劃新建12英寸廠。根據(jù)南亞科規(guī)劃，12英寸新廠落腳新北市泰山南林科學(xué)園區(qū)，目標(biāo)2025年開始裝機(jī)量產(chǎn)，采用10nm制程技術(shù)生產(chǎn)DRAM，月產(chǎn)能約4.5萬片。
中國大陸方面，長江存儲和長鑫存儲也在積極規(guī)劃產(chǎn)能，加大投資布局力度。
根據(jù)長江存儲產(chǎn)能規(guī)劃，2022年底預(yù)計總產(chǎn)能為每月15萬片，到2025年預(yù)計每月總產(chǎn)能30萬片。憑借其新的投資，長鑫存儲的計劃是到2022年將晶圓產(chǎn)量翻一番，達(dá)到每月12萬片，中長期目標(biāo)為30萬片。
天風(fēng)證券指出，國內(nèi)存儲原廠積極擴(kuò)產(chǎn)以期以進(jìn)一步縮小與三星、美光等先進(jìn)企業(yè)的產(chǎn)能差距，占領(lǐng)國內(nèi)市場份額。近期長江存儲、長鑫積極推進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)，產(chǎn)能擴(kuò)張+工藝改進(jìn)對于前驅(qū)體、靶材等的需求將同步成倍增長，為國產(chǎn)各類材料廠商提供強(qiáng)勁成長機(jī)遇。
如此態(tài)勢之下，存儲產(chǎn)業(yè)作為供應(yīng)和需求不斷博弈的強(qiáng)周期性行業(yè)，多數(shù)存儲大廠并未放慢投資擴(kuò)產(chǎn)的腳步。
市場低迷之下，投資步伐為何不減？
究其原因，可以從市場角度和戰(zhàn)略層面來尋找答案。
市場層面：結(jié)構(gòu)性緊缺，試圖搶占先機(jī)
當(dāng)前，存儲市場遇冷已是不爭的事實，臺積電在最新財報中對半導(dǎo)體的預(yù)測也提到了存儲市場遇冷。
但深入觀察能夠發(fā)現(xiàn)，包括存儲芯片在內(nèi)的芯片產(chǎn)業(yè)，正在從全面緊缺轉(zhuǎn)向結(jié)構(gòu)性緊缺。
當(dāng)前，在半導(dǎo)體下游的終端市場中，雖然移動、PC等消費(fèi)市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢，但云、服務(wù)器、高性能運(yùn)算、車用與工控等領(lǐng)域結(jié)構(gòu)性增長需求不減，據(jù)公開信息顯示，四大云端巨頭亞馬遜、谷歌、Meta和微軟預(yù)計將在全球30個新地區(qū)建設(shè)數(shù)據(jù)中心。半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)化增長的特征，為存儲原廠業(yè)績增長提供了堅實后盾。
盡管存儲市場需求近期疲軟，但長期需求趨勢依然強(qiáng)勁，數(shù)字化的浪潮已經(jīng)不可逆轉(zhuǎn)，存儲市場長久來看必然是向更高更大的格局邁進(jìn)。
在此情形下，原廠再次祭出“反周期”操作，加大產(chǎn)出力度，繼續(xù)以價換量，試圖搶占先機(jī)。
戰(zhàn)略層面：“反周期”操作，決勝新一輪周期回轉(zhuǎn)
存儲芯片是一個市場周期波動性比較大的行業(yè)，在經(jīng)濟(jì)周期的不同階段，企業(yè)投資的節(jié)奏是不同的，需要順勢而為。通常情況下，就是要在蕭條的時候就要減少投資甚至砍掉部分產(chǎn)線，復(fù)蘇的時候擴(kuò)大投資。
然而，在存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程中，三星曾多次逆勢而為，充分利用了存儲器行業(yè)的強(qiáng)周期特點，在市場下行周期進(jìn)行投資擴(kuò)產(chǎn)，最終成就了當(dāng)前三星在存儲產(chǎn)業(yè)的龍頭地位。
以三星為例，一起來看一下曾經(jīng)在存儲領(lǐng)域多次使用“逆周期投資”策略，成就了世界級半導(dǎo)體巨頭的故事。
回顧存儲芯片發(fā)展歷程，上世紀(jì)70年代，美國IBM公司發(fā)明了第一塊DRAM芯片，隨后英特爾推出第一款商用DRAM芯片。后來，日本對DRAM芯片進(jìn)行了品質(zhì)提升和技術(shù)創(chuàng)新，成為DRAM主要供應(yīng)國。
鼎盛時期，NEC、東芝、日立等日本巨頭占據(jù)了全球半導(dǎo)體企業(yè)排名前三位，并一度擁有DRAM行業(yè)90%的市場份額。
反觀韓國，既沒有美國近百年的技術(shù)積淀，也沒有日本健全的工業(yè)體系，短短四十年，為什么韓國可以在半導(dǎo)體這個新興產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)彎道超車？重要原因就在于韓國在每一次行業(yè)低谷期精準(zhǔn)地實施了逆向投資。
40年來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期（數(shù)據(jù)來源：CS）
第一次逆向投資：20世紀(jì)80年代，DRAM市場不景氣，價格迅速下滑，從1984年初的4每片4美元下降到1985年的30美分，英特爾由于DRAM虧損嚴(yán)重直接退出了該市場，關(guān)閉生產(chǎn)DRAM的七座工廠。日本企業(yè)也開始大幅度減少資本開支。
此時，韓國的三星剛剛推出64K DRAM，生產(chǎn)成本是1.3美元/片。面臨行業(yè)的不景氣，三星開始采用逆向投資，繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的DRAM。到1986年底，三星半導(dǎo)體累積虧損3億美元，股權(quán)資本完全虧空。
整個集團(tuán)半只腳已經(jīng)踏上破產(chǎn)的門檻，連續(xù)三年來財政赤字已經(jīng)高達(dá)數(shù)千億韓元。就在企業(yè)生死存亡之際，韓國政府現(xiàn)身“救市”，總共投入近3.5億美金，并且以政府背書拉動了20億美元的個體募資。
在韓國政府的解救過程中，世界半導(dǎo)體終于熬過下行周期。當(dāng)然，其中也有日美簽署半導(dǎo)體協(xié)議的原因，日本讓出了巨大市場。90年代，三星一舉超過日本企業(yè)，成為全球第一大存儲芯片制造商。
三星的第一次反周期投資已經(jīng)成為半導(dǎo)體界的一段傳奇故事。
第二次逆向投資：20世紀(jì)90年代，日本經(jīng)濟(jì)低迷。到了1993年，全球半導(dǎo)體市場又開始轉(zhuǎn)弱，三星第二次采取反周期的投資策略，投資興建8英寸硅片生產(chǎn)線來生產(chǎn)DRAM。在韓國廠商的擠壓下，日本政府不得不整合日立、NEC、三菱的DRAM業(yè)務(wù)，組建“國家隊”爾必達(dá)，以應(yīng)對韓國的反擊。
第三次逆向投資：2008年，金融危機(jī)爆發(fā)，DRAM價格雪崩，從2.25美元狂跌至0.31美元。就在眾廠商哀鴻遍野時，三星第三次舉起了“反周期”屠刀，決定將三星電子總利潤的118%投入DRAM擴(kuò)張業(yè)務(wù)，故意加劇行業(yè)虧損，給艱難度日的對手們，壓上最后一根稻草。
很快，DRAM價格跌破現(xiàn)金成本，接著更是跌破材料成本。當(dāng)年排名第三的德系廠商奇夢達(dá)成為倒在2009年春天的第一個大廠。自此，歐洲玩家正式退出DRAM市場。2012年初，曾經(jīng)的DRAM頭部廠商爾必達(dá)也支撐不下去了，宣布破產(chǎn)，曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場50%以上份額的日本，也輸?shù)袅俗詈笠粡埖着啤?/p>
三次完美的逆向投資和慘烈的存儲激戰(zhàn)，三星浴火重生，鳳凰涅槃，最終稱霸半導(dǎo)體行業(yè)。
三星認(rèn)為，穩(wěn)定的投資方式比依賴市場起伏的方式更合適公司運(yùn)營，在存儲芯片價格下行周期擴(kuò)張的好處在于無需與他人爭搶芯片制造設(shè)備，此時的芯片制造設(shè)備價格又低，只要熬過去，那么就能成為贏家，結(jié)果三星用10多年時間成為全球最大的存儲芯片企業(yè)，
總結(jié)來看，三星充分利用了存儲器行業(yè)的強(qiáng)周期特點，在價格下跌、生產(chǎn)過剩、其他企業(yè)削減投資的時候，逆勢瘋狂擴(kuò)產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進(jìn)一步下殺產(chǎn)品價格，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn)，世人稱之為“逆周期投資”。
也正是有了這樣的經(jīng)驗和教訓(xùn)，如今面對低迷的市場現(xiàn)狀，存儲大廠們才不敢有絲毫大意，一方面要提防競爭對手再次上演“三星奇跡”；另一方面，都想重新復(fù)制三星的逆周期擴(kuò)張模式，力求鞏固或加強(qiáng)自身在全球存儲市場的地位。
寫在最后
逆周期投資，這看似矛盾的供需關(guān)系背后，實則蘊(yùn)含著半導(dǎo)體廠商對于產(chǎn)業(yè)方向和競爭格局的重要考量，并非一時上頭的激情之舉。
星星之火，可以燎原，沒有人可以永遠(yuǎn)躺在過去的功勞簿上。如果在行情下跌的時候不愿投資，那么在存儲周期回轉(zhuǎn)的時候，又怎么能獲得產(chǎn)能，怎么有機(jī)會實現(xiàn)超越領(lǐng)跑。
臺積電總裁魏哲家表示，未來是下滑的周期，但并非大幅下降。因此不必畏懼存儲市場會變天，笑到最后才是真英雄。
能夠看到，目前加入投資擴(kuò)產(chǎn)行列的大多屬于頭部廠商，他們擁有技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢和強(qiáng)大定價能力，可以憑借可持續(xù)的客戶訂單優(yōu)勢、多元化的產(chǎn)能供給等，從規(guī)模較小的廠商手中搶走市占率。因此，對于未來不明朗的市場態(tài)勢，大廠擴(kuò)產(chǎn)除了能進(jìn)一步提高芯片產(chǎn)量和規(guī)模，也不失為一種提升自身競爭力和領(lǐng)先優(yōu)勢的商業(yè)策略。
2022年，存儲巨頭們又在上演新一輪的豪賭。
