本文來自微信公眾號“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫”，由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID:ICVIEWS）綜合。
伴隨存儲芯片價格筑底，關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來越熱。
隨著三大內(nèi)存芯片廠商紛紛加入減產(chǎn)，預(yù)計內(nèi)存供需狀況將從23年第三季度開始好轉(zhuǎn)，擺脫供應(yīng)過剩局面。到2023年，DRAM供應(yīng)量的年增長率應(yīng)該僅為5%。在產(chǎn)出基礎(chǔ)上（不包括庫存），供應(yīng)增長將歷史上首次同比下降。芯片需求將主要由個人電腦和智能手機(jī)引領(lǐng)。至于PC，在經(jīng)歷了兩年的需求放緩之后，需求將以高性能計算機(jī)(HPC)為中心有所改善。
IT需求改進(jìn)應(yīng)因應(yīng)用程序和參與者而異。預(yù)計AI和HPC處理器、能夠生產(chǎn)它們的領(lǐng)先代工廠以及高端智能手機(jī)的需求量很大。與此同時，缺乏技術(shù)實(shí)力和品牌影響力的二線企業(yè)將在需求疲軟的情況下繼續(xù)掙扎。為了應(yīng)對不斷增長的聊天GPT需求，微軟、谷歌、百度和阿里巴巴最近向臺積電追加了數(shù)萬顆Nvidia H100和A800處理器的訂單。到2023年，iPhone 15的出貨量預(yù)計將達(dá)到9000萬部左右，高于iPhone 14的水平。
SEC和SK海力士將從2023年第三季度開始的內(nèi)存芯片需求改善中受益。除了內(nèi)存價格上漲，預(yù)計SEC和SK海力士的盈利將大幅改善。同樣積極的是對高帶寬內(nèi)存(HBM)的新需求的產(chǎn)生。
美光科技審查事件結(jié)果出爐，不僅再次推升了市場對于國產(chǎn)存儲芯片替代進(jìn)程的關(guān)注，也使得本輪半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)討論越來越熱。
受消費(fèi)低迷影響，存儲芯片仍處于筑底階段。根據(jù)TrendForce預(yù)計，由于DRAM和NAND Flash下游需求不及預(yù)期，部分產(chǎn)品2023二季度價格跌幅有擴(kuò)大趨勢。
顯然，消費(fèi)電子下游需求景氣度拐點(diǎn)仍沒有到來，這或許解釋了A股芯片板塊“一日游行情”的原因。
5月22日，存儲芯片板塊高開低走，深科技、佰維存儲等個股悉數(shù)轉(zhuǎn)跌，整個芯片板塊回撤明顯。而上一交易日(5月19日)存儲芯片板塊掀起漲停潮，芯片股再度“一日游”。
存儲芯片周期進(jìn)入“筑底”階段
2022年全球消費(fèi)電子需求明顯下降，原廠、渠道和終端庫存高企，導(dǎo)致存儲芯片價格一跌再跌。
在今年一季度全球PC出貨量下跌33%的背景下，存儲芯片價格一跌再跌，全行業(yè)庫存接近歷史高點(diǎn)，各廠商存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)進(jìn)一步大幅增加，整體仍處于主動去庫存狀態(tài)。
4月份，DRAM(4GB)現(xiàn)貨平均價環(huán)比下行3.46%，NAND(64GB)現(xiàn)貨平均價環(huán)比上行0.39%，出現(xiàn)止跌信號。上周末，市場傳聞稱長江存儲傳出將調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品價格后，漲幅約為3%~5%，有消息稱韓國三星電子、SK海力士也將跟進(jìn)漲價，且不再接受存儲芯片更低詢價。
多個被視為存儲芯片長期跌價終止的信號出現(xiàn)后，市場分析稱，存儲芯片進(jìn)入筑底階段，靜待庫存水位及庫存結(jié)構(gòu)改變。
國盛證券研報指出，根據(jù)TrendForce表示，DRAM價格的跌幅主要原因系DDR4和LPDDR5庫存過高，NAND Flash價格下跌原因在于市場目前供過于求的格局仍未明顯改善。我們認(rèn)為，2023上半年存儲價格持續(xù)下行，目前已經(jīng)接近底部，后續(xù)且待價格企穩(wěn)回升。
北京君正在5月初的投資者調(diào)研中表示，目前看消費(fèi)行業(yè)庫存去化已取得非常顯著的成果，能經(jīng)?？吹郊眴蔚某霈F(xiàn)，這表明客戶需求已經(jīng)在出現(xiàn)。工業(yè)領(lǐng)域的供求關(guān)系反轉(zhuǎn)比消費(fèi)領(lǐng)域會晚一些，其庫存去化還需要一些時間?？傮w來看，第二季度從量的維度上可能環(huán)比一季度不會有太大的變化。
談及國產(chǎn)化加速下存儲行業(yè)的投資機(jī)遇，某半導(dǎo)體行業(yè)人士對記者說：“國內(nèi)廠商短時間內(nèi)無法‘吃掉’美光的所有市場份額，產(chǎn)能爬坡和產(chǎn)品導(dǎo)入都需要時間。”
半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)隱現(xiàn)？
全球半導(dǎo)體存儲市場中，DRAM和NAND Flash是主要的兩種存儲芯片，兩者占據(jù)主導(dǎo)地位。據(jù)WSTS預(yù)測，2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到1675億美元，其中中國存儲器市場空間巨大，預(yù)計2023年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到6492億元(約942億美元)，約占全球市場的55.8%。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，由于存儲芯片是市場需求中最基礎(chǔ)的重要品類，呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，也被視為周期的風(fēng)向標(biāo)。
伴隨存儲芯片價格筑底，關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來越熱。今年3月，全球和中國半導(dǎo)體銷售額自去年6月以來首次實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長，意味著行業(yè)衰退期已經(jīng)過半。
“一旦渠道環(huán)節(jié)完成庫存消化、終端需求崛起，周期便從底部崛起。目前來看，底部反轉(zhuǎn)的多項(xiàng)條件已經(jīng)具備，比如美元加息預(yù)期減弱。半導(dǎo)體是全球性產(chǎn)業(yè)，對宏觀經(jīng)濟(jì)波動影響敏感，周期的拐點(diǎn)也與美元利率掛鉤。”半導(dǎo)體人士補(bǔ)充說：“三季度是半導(dǎo)體需求旺季，也成為今年半導(dǎo)體板塊業(yè)績的‘勝負(fù)手’。不同產(chǎn)品的渠道庫存去化進(jìn)展不同，總體上，我們預(yù)計三季度的下游需求可能會有明顯改善。”
2022年是全球半導(dǎo)體行情的“至暗時刻”，中華半導(dǎo)體芯片指數(shù)全年重挫逾30%，同期美股的費(fèi)成半導(dǎo)體指數(shù)亦是如此。一季報數(shù)據(jù)來看，A股半導(dǎo)體整體業(yè)績表現(xiàn)不佳，各環(huán)節(jié)平均業(yè)績較上年同期均有一定下滑，僅半導(dǎo)體設(shè)備板塊的業(yè)績實(shí)現(xiàn)了一定增長。
估值角度來看，4月份，申萬半導(dǎo)體指數(shù)下跌6.03%，跑輸滬深300指數(shù)5.49個百分點(diǎn)。半導(dǎo)體子行業(yè)方面，除半導(dǎo)體設(shè)備上漲18.74%外，其余均下跌，其中模擬芯片設(shè)計、集成電路封測、分立器件跌幅較大，分別下跌16.34%、14.01%、11.4%。
