本文來自微信公眾號(hào)“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫”，作者/豐寧。
受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇等因素影響，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在2022年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。
根據(jù)TrendForce的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM的平均價(jià)格繼2022年第三季度暴跌31.4%之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了34.4%。今年Q1，DRAM均價(jià)跌幅收斂至13%～18%，Q2 DRAM價(jià)格跌幅收窄至10%到15%。
與DRAM市況相似，NAND閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022年Q3和Q4 NAND Flash價(jià)格跌幅均超過20%，今年Q1 NAND Flash均價(jià)跌幅收斂至10％-15％，Q2 NAND Flash均價(jià)續(xù)跌10%～15%。
可以看到，今年Q1、Q2存儲(chǔ)市場(chǎng)的跌幅正在逐漸放緩。眾所周知，存儲(chǔ)價(jià)格具有很強(qiáng)的周期性，在這一輪市場(chǎng)下滑到底部后，伴隨著經(jīng)濟(jì)和需求面的改善，存儲(chǔ)市場(chǎng)復(fù)蘇跡象正在出現(xiàn)并日益明顯。
01
9月，市場(chǎng)回暖跡象愈發(fā)明顯
根據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年Q3預(yù)估DRAM均價(jià)跌幅收斂至0~5%。NAND Flash均價(jià)跌幅收斂至3～8％。跌幅的收斂得益于三星、美光科技、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等一眾廠商的減產(chǎn)策略。如今存儲(chǔ)市場(chǎng)的供需關(guān)系正在加速回歸平衡。
三井住友信托銀行的山上隼人以三星電子、SK海力士、美光等廠商的存貨資產(chǎn)等為依據(jù)，計(jì)算出“庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)”，在2023年4-6月時(shí)平均為151天、較近期最高紀(jì)錄的2022年10-12月（158天、過去10年來最長(zhǎng)）縮短4%。因銷售出現(xiàn)改善，市場(chǎng)也傳出“DRAM價(jià)格應(yīng)該不會(huì)再往下跌”的聲音。
同時(shí)在市場(chǎng)的現(xiàn)貨價(jià)格上，也不斷有好消息傳來。從2023年4月，存儲(chǔ)芯片的現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅開始收斂，6月有市場(chǎng)消息稱，存儲(chǔ)芯片三巨頭集體醞釀漲價(jià)，目標(biāo)漲幅最高8％，8月，指標(biāo)性產(chǎn)品8GB DDR4價(jià)格為每塊1.48美元左右，已是連續(xù)第四個(gè)月環(huán)比持平。
存儲(chǔ)芯片在經(jīng)過史上最長(zhǎng)的庫(kù)存調(diào)整期后，近期屬合約市場(chǎng)下游的廠商，已被原廠通知第四季度合約價(jià)要調(diào)漲，比如據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》引述業(yè)界消息報(bào)道稱，日前三星已與小米、OPPO、谷歌等智能手機(jī)品牌客戶簽署了DRAM和NAND Flash芯片供應(yīng)協(xié)議，價(jià)格比現(xiàn)有的合約價(jià)高出了10%～20%。上游漲價(jià)合約價(jià)格信息的調(diào)整帶動(dòng)，這一波漲價(jià)由8-9月現(xiàn)貨市場(chǎng)開始反彈。
02
存儲(chǔ)產(chǎn)品全線漲價(jià)
首先看DRAM。在供應(yīng)端，自今年年初起，三大DRAM龍頭陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)措施，以因應(yīng)市場(chǎng)需求不振，且進(jìn)入下半年后，業(yè)界再度傳出三星將再度減產(chǎn)，且累計(jì)各大DRAM廠的減產(chǎn)后，將可望讓第四季度的DRAM市場(chǎng)供給量再比第三季減少兩成。早在今年4月，美光消費(fèi)零部件相關(guān)部門就正式向經(jīng)銷商發(fā)出通知稱，自5月起，DRAM及NAND Flash將不再接受低于現(xiàn)階段行情的詢價(jià)——換言之，美光認(rèn)為現(xiàn)階段價(jià)格已是最低行情，不再響應(yīng)降價(jià)要求。
在需求端，PC、智能手機(jī)等終端電子裝置搭載容量都呈現(xiàn)大幅成長(zhǎng)趨勢(shì)，這也成為下半年有效去化庫(kù)存的關(guān)鍵。
在三大DRAM原廠的市場(chǎng)供給量持續(xù)減少，以及終端電子裝置搭載容量年成長(zhǎng)五成情況下，下半年DRAM價(jià)格也有望迎來上漲。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，DRAM將于今年四季度開始上漲，標(biāo)志著新一輪增長(zhǎng)周期的開始。并且，DRAM價(jià)格上漲不僅是由于減產(chǎn)和庫(kù)存清倉(cāng)等因素，還與人工智能市場(chǎng)有關(guān)。
再看NAND。本月韓媒Business Korea報(bào)道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低，公司計(jì)劃今年四季度起，調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在10%以上，預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格。
自今年年初以來，三星一直采取減產(chǎn)措施，晶圓產(chǎn)量大幅下降了40%。只是最初的減產(chǎn)舉措主要集中在DRAM領(lǐng)域，但隨著下半年開始，三星著手大幅削減NAND Flash業(yè)務(wù)產(chǎn)量。當(dāng)前，三星正試圖推動(dòng)NAND價(jià)格正?；?，以實(shí)現(xiàn)公司的盈利目標(biāo)。在三星的減產(chǎn)戰(zhàn)略下，DRAM領(lǐng)域已出現(xiàn)價(jià)格反彈，而NAND產(chǎn)品仍存在突破空間。三星的目標(biāo)是進(jìn)一步擴(kuò)大減產(chǎn)規(guī)模，以降低供應(yīng)量，并逐步提高產(chǎn)品價(jià)格，從而實(shí)現(xiàn)公司的反轉(zhuǎn)目標(biāo)。
美光也宣布將自9月起提高NAND Flash晶圓合約價(jià)約10%，這一舉措被認(rèn)為有望改善美光下半年的盈利狀況。不僅如此，隨后，SK海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等廠商也紛紛跟進(jìn)，將價(jià)格上調(diào)了約10%。為了確保此次漲價(jià)取得預(yù)期效果，三星、美光甚至內(nèi)部下達(dá)了一個(gè)明確的指令：絕不虧本賣NAND芯片，必須盈利才能出貨。
在國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)，漲價(jià)行情也正自上而下傳導(dǎo)，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)信息顯示，由于NAND晶圓顆粒的價(jià)格上漲，以及貿(mào)易商出貨報(bào)價(jià)抬高的影響，國(guó)產(chǎn)SSD、eMMC/UFS、卡和U盤等成品端現(xiàn)貨價(jià)格全線走高。
其中SSD成本價(jià)格大概已上漲20%左右，國(guó)產(chǎn)二三線SSD品牌廠家近期已經(jīng)陸續(xù)開始執(zhí)行漲價(jià)。有些品牌在8月底已小漲，有的品牌已從9月份開始執(zhí)行漲價(jià)，首次成本價(jià)格上漲預(yù)計(jì)約達(dá)到10%左右，整體上漲幅度可以達(dá)到15%以上。預(yù)計(jì)多數(shù)品牌可能選擇幾輪的漲價(jià)策略陸續(xù)執(zhí)行，主要看市場(chǎng)需求以及終端的接受度而定，如果市場(chǎng)需求過差持續(xù)上漲可能受阻。
國(guó)內(nèi)不少存儲(chǔ)模組大廠最近已經(jīng)向客戶宣布暫停低價(jià)接單。從9月12日最新情況來看，上游方面，1Tb/512Gb TLC NAND Flash Wafer連續(xù)數(shù)周調(diào)漲，當(dāng)周上漲至3.35/1.65美元；而在DDR方面，DDR4 16Gb/4Gb eTT價(jià)格分別上漲2.38%/5.88%；在渠道市場(chǎng)，SSD和內(nèi)存條價(jià)格也出現(xiàn)普漲行情。
三星、鎧俠、SK海力士等上游NAND Flash原廠開始拉高晶圓合約價(jià)，由于下游系統(tǒng)模組廠手中庫(kù)存低于正常季節(jié)水準(zhǔn)，引發(fā)終端搶貨，消費(fèi)性SSD、存儲(chǔ)卡，手機(jī)相關(guān)零組件如eMMC、eMCP價(jià)格全面走揚(yáng)。供應(yīng)鏈傳出，目前平均漲幅約在個(gè)位數(shù)左右，由于部分存儲(chǔ)產(chǎn)品庫(kù)存水位相對(duì)較低，因此四季度漲幅有望上看雙位數(shù)。
03
五大廠商8、9月最新營(yíng)收，多家創(chuàng)新高
歷經(jīng)原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，已有多家存儲(chǔ)廠商在最近兩個(gè)月的營(yíng)收出現(xiàn)了環(huán)比增長(zhǎng)的跡象，預(yù)示著需求正在緩慢回升。
南亞科：8月營(yíng)收25.75億新臺(tái)幣，較2022年同期減少24.69%，較7月增加5.65%，為九個(gè)月來新紀(jì)錄；9月營(yíng)收為27.24億元新臺(tái)幣，月增5.8%，年減15.03%，業(yè)績(jī)?cè)賱?chuàng)新高。
群聯(lián)電子：8月營(yíng)收39.90億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng)17.56%；9月營(yíng)收為50.04億元新臺(tái)幣，月增25.38%，年增4.05%，重返50億元新臺(tái)幣大關(guān)，創(chuàng)14個(gè)月新高。群聯(lián)電子表示8月SSD模組出貨量已逐漸回溫，其中PCle SSD模組同比增長(zhǎng)約60%，整體NAND位元數(shù)同比增長(zhǎng)近50%。部分NAND控制芯片開始出現(xiàn)客戶端庫(kù)存不足的狀況。隨后在9月份SSD模組出貨量持續(xù)出現(xiàn)逐漸回溫狀況。其中，PCIe SSD模組出貨量成長(zhǎng)更是將近60%，而整體NAND儲(chǔ)存位元數(shù)的年成長(zhǎng)率（BitGrowth Rate）也超過75%。
華邦電子：8月營(yíng)收64.24億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng)1.74%；9月營(yíng)收為67.66億元新臺(tái)幣，月增5.32%，年減7.96%。華邦電子表示8月DRAM市場(chǎng)略有回溫。
旺宏：8月營(yíng)收26.01億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng)19.23%；9月營(yíng)收為25.01億元新臺(tái)幣，月減3.8%，年減39.6%。旺宏表示2023年下半年汽車NOR Flash有望逐季回升。
威剛：8月營(yíng)收29.71億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng)30.40%，創(chuàng)近11個(gè)月單月新高。9月業(yè)績(jī)暫未公布。不過威剛指出，其8月DRAM模組營(yíng)收較上個(gè)月大幅成長(zhǎng)五成，不僅一舉超過14億元，也達(dá)到2022年5月以來單月新高，占整體營(yíng)收比重則拉高至47.57%。SSD單月營(yíng)收同步回升至9.98億元，月增19.89%，營(yíng)收比重為33.6%；閃存卡、U盤及其他產(chǎn)品占比18.83%。
10月初，威剛董事長(zhǎng)陳立白表示，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)苦熬兩年，黑暗將過，2024年下半年更可能出現(xiàn)短缺。他認(rèn)為，由于三大存儲(chǔ)芯片巨頭積極減產(chǎn)，效益開始顯現(xiàn)，NAND及DRAM近期現(xiàn)貨價(jià)皆從低谷處呈現(xiàn)雙位數(shù)反彈。
眼看市場(chǎng)回暖在即，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)如何？
04
2024年，中國(guó)市場(chǎng)DRAM、NAND芯片供應(yīng)將出現(xiàn)短缺
近日，三星電子對(duì)其全球主要客戶的半導(dǎo)體需求進(jìn)行了調(diào)查。結(jié)果表明，各領(lǐng)域客戶的存儲(chǔ)庫(kù)存調(diào)整已接近完成，半導(dǎo)體行業(yè)將從2024年起全面反彈。三星預(yù)計(jì)從2024年開始將會(huì)有部分地區(qū)的DRAM和NAND Flash供應(yīng)出現(xiàn)短缺，特別是在中國(guó)市場(chǎng)。
三星的一位高級(jí)管理人員提到，越來越多的半導(dǎo)體公司已經(jīng)完成庫(kù)存調(diào)整，特別是在與最大客戶蘋果公司成功進(jìn)行價(jià)格談判之后。預(yù)計(jì)NAND業(yè)務(wù)的虧損將大幅減少。
在服務(wù)器DRAM業(yè)務(wù)方面，針對(duì)北美大客戶的半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整也進(jìn)入最后階段。數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商為了應(yīng)對(duì)人工智能需求，正在擴(kuò)大基礎(chǔ)設(shè)施投資。
那么未來存儲(chǔ)市場(chǎng)的需求驅(qū)動(dòng)力又有哪些？
05
未來哪些存儲(chǔ)芯片將變得更加火熱？
據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)，智能手機(jī)對(duì)DRAM和NAND的需求量均接近40%。此外，服務(wù)器和PC對(duì)DRAM的需求分別達(dá)到34%和13%。
手機(jī)：對(duì)大容量LPDDR、3D NAND組件等需求越來越大。
國(guó)內(nèi)智能手機(jī)市場(chǎng)正掀起一場(chǎng)大內(nèi)存普及戰(zhàn)役。過去一兩年，低端手機(jī)NAND Flash容量由32GB逐漸升至64GB；中端手機(jī)已經(jīng)逐漸取消RAM 8GB和ROM 128GB容量配置，完全普及256GB；支持RAM 12/16/18GB和ROM 512GB/1TB容量的機(jī)型越來越多，并逐漸向中低端滲透。反映到全球存儲(chǔ)容量規(guī)模上，2022年全球NAND Flash容量增長(zhǎng)6%至6100億GB，全球DRAM容量將增長(zhǎng)2%至1900億GB?？梢砸姷茫磥韺?duì)大容量LPDDR、3D NAND組件等需求會(huì)越來越大。
PC：DDR5/LPDDR5滲透率提高，512GB SSD成為主流。
PC及平板電腦的出貨量大漲，對(duì)于DDR內(nèi)存的需求也顯著增大，DDR5已經(jīng)開始被推向市場(chǎng)的風(fēng)口。英特爾及AMD均已發(fā)布支持DDR5的處理器，AMD在2022年8月發(fā)布其銳龍7000系列處理器，首發(fā)包括R9 7950X、R9 7900X、R7 7700X、R7 7600X四個(gè)型號(hào)，已在9月27日正式上市，7000系列處理器全面支持DDR5，且不再支持DDR4內(nèi)存，足以看出AMD對(duì)于未來搭載DDR5內(nèi)存平臺(tái)的信心。
另外在PC領(lǐng)域，固態(tài)硬盤已經(jīng)完全取代了機(jī)械硬盤，目前筆記本電腦中配備512GB SSD成為主流，搭載1TB/2TB的SSD的PC也在逐漸增多。
AI服務(wù)器：DDR5滲透率快速增長(zhǎng)，HBM需求激增。
服務(wù)器需求的增長(zhǎng)正在成為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的新能動(dòng)，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的高性能服務(wù)器更是離不開DDR5的加持，疊加AI效應(yīng)的持續(xù)發(fā)酵，HBM產(chǎn)品需求暴增。據(jù)悉，2023年開年后三星、SK海力士?jī)杉掖鎯?chǔ)大廠HBM訂單快速增加，價(jià)格也水漲船高，近期HBM3規(guī)格DRAM價(jià)格已上漲5倍。
根據(jù)TrendForce，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM已成主流，預(yù)估2023年全球HBM需求容量將達(dá)2.9億GB，同比增長(zhǎng)近60%。TrendForce測(cè)算，2023年HBM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為31.6億美金，到2025年市場(chǎng)規(guī)模有望突破100億美金。
從目前各原廠規(guī)劃來看，TrendForce預(yù)估2024年HBM供給位元量將同比增長(zhǎng)105%。
汽車等新興領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)增長(zhǎng)。
隨著智能汽車的不斷發(fā)展也給主流和利基型存儲(chǔ)帶來新的增長(zhǎng)點(diǎn)。據(jù)悉，全自動(dòng)駕駛車輛所需的DRAM、NAND將分別是傳統(tǒng)汽車的30倍與100倍。另外在物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和安防電子等新興領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展將持續(xù)引領(lǐng)市場(chǎng)增長(zhǎng)。
在經(jīng)歷了一年的價(jià)格波動(dòng)之后，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)終于開始走向回暖。結(jié)合幾大原廠最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)及市場(chǎng)動(dòng)態(tài)顯示，庫(kù)存調(diào)整有所成效，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片行業(yè)有望最晚在2024年步入量?jī)r(jià)齊升的上行通道。
