本文來(lái)自微信公眾號(hào)“半導(dǎo)體行業(yè)觀察”。
來(lái)源：內(nèi)容編譯自semi，謝謝。
全球行業(yè)協(xié)會(huì)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)在周四發(fā)布的估計(jì)數(shù)據(jù)中表示，2025年至2027年，半導(dǎo)體制造商在計(jì)算機(jī)芯片制造設(shè)備上的支出將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4000億美元，其中中國(guó)大陸、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣將占據(jù)領(lǐng)先地位。
主要驅(qū)動(dòng)因素包括中美貿(mào)易緊張局勢(shì)下對(duì)地理區(qū)域過(guò)剩產(chǎn)能的額外需求，以及對(duì)人工智能芯片和相關(guān)存儲(chǔ)芯片的需求。該協(xié)會(huì)在一份報(bào)告中估計(jì)，到2025年，設(shè)備支出將增長(zhǎng)24%，達(dá)到1230億美元。主要設(shè)備供應(yīng)商包括ASML、應(yīng)用材料、KLA、Lam Research和東京電子。
SEMI表示：“預(yù)計(jì)中國(guó)大陸仍將保持其最大支出地區(qū)的地位……在國(guó)家自給自足政策的推動(dòng)下，未來(lái)三年將投資超過(guò)1000億美元。”并補(bǔ)充說(shuō)，今年中國(guó)的支出正在從創(chuàng)紀(jì)錄水平下降。
存儲(chǔ)芯片制造商三星以及SK海力士的所在地韓國(guó)也在瘋狂購(gòu)買設(shè)備，同期支出為810億美元。相比之下，全球最大芯片代工廠臺(tái)積電所在地的中國(guó)臺(tái)灣的支出為750億美元。該公司還在美國(guó)、日本和歐洲建廠。
其他地區(qū)的支出估計(jì)為美洲630億美元、日本320億美元和歐洲270億美元。
SEMI表示：“值得注意的是，由于旨在緩解關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)擔(dān)憂的政策激勵(lì)措施，預(yù)計(jì)這些地區(qū)2027年的設(shè)備投資將比2024年增加一倍以上。”
SEMI：半導(dǎo)體行業(yè)將在三年內(nèi)投資4000億美元建設(shè)300毫米晶圓廠設(shè)備
全球范圍內(nèi)，300毫米晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將在2024年增長(zhǎng)4%，達(dá)到993億美元，并在2025年進(jìn)一步增長(zhǎng)24%，達(dá)到1232億美元，超過(guò)1000億美元的水平。
SEMI表示，支出增長(zhǎng)的動(dòng)力來(lái)自半導(dǎo)體晶圓廠的區(qū)域化以及數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備對(duì)人工智能(AI)芯片的需求不斷增長(zhǎng)。
預(yù)計(jì)2024年全球300毫米晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)4%，達(dá)到993億美元，2025年將進(jìn)一步增長(zhǎng)24%，達(dá)到1232億美元，超過(guò)1000億美元的水平。預(yù)計(jì)2026年支出將增長(zhǎng)11%，達(dá)到1362億美元，2027年將增長(zhǎng)3%，達(dá)到1408億美元。
SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“2025年全球300毫米晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將大幅增加，為半導(dǎo)體制造業(yè)投資創(chuàng)下三年紀(jì)錄奠定了基礎(chǔ)。全球?qū)π酒钠毡樾枨笳谕苿?dòng)設(shè)備支出，無(wú)論是針對(duì)人工智能應(yīng)用的前沿技術(shù)，還是由汽車和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用推動(dòng)的成熟技術(shù)。”
預(yù)計(jì)到2027年，中國(guó)仍將保持全球300毫米設(shè)備支出最大的地區(qū)地位，在國(guó)家自給自足政策的推動(dòng)下，未來(lái)三年將投資超過(guò)1000億美元。不過(guò)，預(yù)計(jì)支出將從2024年的450億美元峰值逐漸下降到2027年的310億美元。
預(yù)計(jì)美洲將在2025年至2027年期間投資630億美元，而日本、歐洲和中東以及東南亞預(yù)計(jì)將在三年內(nèi)分別投資320億美元、270億美元和130億美元。值得注意的是，由于旨在緩解關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)擔(dān)憂的政策激勵(lì)措施，預(yù)計(jì)這些地區(qū)2027年的設(shè)備投資將比2024年增加一倍以上。
預(yù)計(jì)2025年至2027年期間，代工設(shè)備支出將達(dá)到約2300億美元，這得益于對(duì)3nm以下尖端節(jié)點(diǎn)的投資以及對(duì)成熟節(jié)點(diǎn)的持續(xù)投資。對(duì)2nm邏輯工藝的投資以及2nm關(guān)鍵技術(shù)的開發(fā)，例如全柵(GAA)晶體管結(jié)構(gòu)和背面供電技術(shù)，對(duì)于滿足未來(lái)高性能和節(jié)能計(jì)算需求至關(guān)重要，尤其是對(duì)于人工智能應(yīng)用而言。由于對(duì)汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求不斷增長(zhǎng)，具有成本效益的22nm和28nm工藝預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。
邏輯和微電子領(lǐng)域預(yù)計(jì)將在未來(lái)三年引領(lǐng)設(shè)備支出擴(kuò)張，預(yù)計(jì)總投資額將達(dá)到1730億美元。內(nèi)存領(lǐng)域位居第二，預(yù)計(jì)同期將貢獻(xiàn)超過(guò)1200億美元的支出，標(biāo)志著另一個(gè)細(xì)分市場(chǎng)增長(zhǎng)周期的開始。在內(nèi)存領(lǐng)域，DRAM相關(guān)設(shè)備的投資預(yù)計(jì)將超過(guò)750億美元，而3D NAND的投資預(yù)計(jì)將達(dá)到450億美元。
電源相關(guān)領(lǐng)域位居第三，預(yù)計(jì)未來(lái)三年投資額將超過(guò)300億美元，其中復(fù)合半導(dǎo)體項(xiàng)目投資額約為140億美元。模擬和混合信號(hào)領(lǐng)域預(yù)計(jì)在同一時(shí)期將達(dá)到230億美元，其次是光電/傳感器領(lǐng)域，投資額為128億美元。
參考鏈接：
https://www.canadianmanufacturing.com/manufacturing/semiconductor-industry-to-invest-400b-in-300mm-fab-equipment-in-3-yrs-semi-303171/
