混合型內(nèi)存的研究將 DRAM 的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，得到了 CHIPS 和科學(xué)法案的資助。
繼上月末國內(nèi)首條光子芯片中試線在無錫市濱湖區(qū)正式啟用之后，光芯片領(lǐng)域再傳一重磅利好消息——九峰山實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)異質(zhì)集成“芯片出光”！
近日，我國首條超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)制造鏈啟動(dòng)升級(jí)擴(kuò)建。自主量子芯片生產(chǎn)、整機(jī)組裝等超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)制造核心環(huán)節(jié)將進(jìn)一步提升，我國超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)自主制造能力增強(qiáng)。
工業(yè)和信息化部部長金壯龍強(qiáng)調(diào)，產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈在關(guān)鍵時(shí)刻不能掉鏈子，這是大國經(jīng)濟(jì)必須具備的重要特征。
回顧過去二十年，英特爾可以說錯(cuò)失了一系列關(guān)鍵機(jī)遇，包括忽視移動(dòng)手機(jī)市場的爆發(fā)，在 EUV 技術(shù)應(yīng)用上行動(dòng)遲緩，以及早期取消通用 GPU 項(xiàng)目，導(dǎo)致現(xiàn)如今未能跟上人工智能熱潮等。曾經(jīng)的工程技術(shù)奇跡英特爾，究竟是如何一步步跌落到現(xiàn)在這個(gè)境地的？它的失敗，又能給人們帶來怎樣的啟示？
HBM即高帶寬存儲(chǔ)，由多層DRAM Die垂直堆疊，每層Die通過硅通孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)與邏輯Die連接，使得8層、12層Die封裝于小體積空間中，從而實(shí)現(xiàn)小尺存與高帶寬、高傳輸速度的兼容，優(yōu)秀的特性使其成為高性能AI服務(wù)器GPU顯存的主流解決方案。
